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采用LFCSP和法蘭封裝的RF放大器的熱管理計算

發布時間:2019-12-25 來源:Eamon Nash 責任編輯:wenwei

【導讀】射頻(RF)放大器可采用引腳架構芯片級封裝(LFCSP)和法蘭封裝,通過成熟的回流焊工藝安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB不僅充當器件之間的電氣互聯連接,還是放大器排熱的主要途徑(利用封裝底部的金屬塊)。
 
本應用筆記介紹熱阻概念,并且提供一種技術,用于從裸片到采用LFCSP或法蘭封裝的典型RF放大器的散熱器的熱流動建模。
 
熱概念回顧
 
熱流
 
材料不同區域之間存在溫度差時,熱量從高溫區流向低溫區。這一過程與電流類似,電流經由電路,從高電勢區域流向低電勢區域。
 
熱阻
 
所有材料都具有一定的導熱性。熱導率是衡量材料導熱能力的標準。熱導率值通常以瓦特每米開爾文(W/mK)或瓦特每英寸開爾文(W/inK)為單位。如果已知材料的熱導率,則采用以下公式,以C/W或K/W為單位計算材料單位體積的熱阻(θ):
 
http://www.empresariosaem.com/art/artinfo/id/80037379  (1)
 
其中:
 
Length表示材料的長度或厚度,以米為單位。
 
k為材料的熱導率。
 
Area表示橫截面積,以m2為單位。
 
溫度
 
利用熱流量等效于電流量的類比,本身具備熱阻且支持熱流流動的材料的溫差如下:
 
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器件的熱阻
 
器件的熱阻相當復雜,往往與溫度呈非線性關系。因此,我們采用有限元分析方法建立器件的熱模型。紅外攝影技術可以確定器件連接處的溫度和操作期間封裝的溫度。基于這些分析和測量結果,可以確定等效的熱阻。在對器件實施測量的特定條件下,等效熱阻是有效的,一般是在最大操作溫度下。
 
參考表1,查看典型的RF放大器的絕對最大額定值表。
 
表1.典型的RF放大器的絕對最大額定值
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對于LFCSP和法蘭封裝,假定封裝外殼是封裝底部的金屬塊。
 
最高結溫
 
在給定的數據手冊中,會在絕對最大額定值表中給出每個產品的最大結溫(基于器件的半導體工藝)。在表1中,指定的維持百萬小時MTTF的最大結溫為225℃。指定的這個溫度一般適用于氮化鎵(GaN)器件。超過這個限值會導致器件的壽命縮短,且出現永久性的器件故障。
 
工作溫度范圍
 
器件的工作溫度(TCASE)已在封裝底座上給出。TCASE是封裝底部金屬塊的溫度。工作溫度不是器件周圍空氣的溫度。
 
如果已知TCASE和PDISS,則很容易計算得出結溫(TJ)。例如,如果TCASE=75°C,PDISS=70 W,則可以使用以下公式計算TJ:
 
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考量到器件的可靠性時,TJ是最重要的規格參數,決不能超過此數值。相反,如果可以通過降低PDISS,使TJ保持在最大可允許的水平之下,則TCASE可以超過指定的絕對最大額定值。在此例中,當外殼溫度超過指定的最大值85°C時,可使用減額值636 mW/°C來計算最大可允許的PDISS。例如,使用表1中的數據,當PDISS的限值為83 W時,可允許的最大TCASE為95°C。PDISS可使用以下公式計算:
 
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使用此PDISS值,可以計算得出225°C結溫,計算公式如下:
 
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器件和PCB環境的熱模型
 
為了充分了解器件周圍的整個熱環境,必須對器件的散熱路徑和材料進行建模。圖1顯示了安裝在PCB和散熱器上的LFCSP封裝的截面原理圖。在本例中,裸片生熱,然后經由封裝和PCB傳輸到散熱器。要確定器件連接處的溫度,必須計算熱阻。利用熱阻與熱流,可計算得出結溫。然后將結溫與最大指定結溫進行比較,以確定器件是否可靠地運行。
 
在圖1中,器件連接處到散熱器的散熱路徑定義如下:
 
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在典型電路板中,包含多個通孔和多個PCB層。在計算系統截面的熱阻時,會使用熱電路計算各個熱阻,并將串聯熱阻與并聯熱阻結合起來,以此確定器件的總熱阻。
 
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圖1.安裝在PCB和散熱器上的LFCSP封裝的熱模型
 
系統的熱阻計算
 
對于每個散熱路徑,都使用公式1來計算其熱阻。要計算得出各個熱阻值,必須已知材料的熱導率。參見表2,查看PCB總成中常用材料的熱導率。
 
表2.常用PCB材料的熱導率
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圖2基于圖1中所示的熱模型,顯示等效的熱電路。TPKG表示封裝底部的溫度,TSINK表示散熱器的溫度。在圖2中,假設封裝(TA)周圍的環境空氣溫度恒定不變。對于外層包有外殼的真實總成,TA可能隨著功耗增加而升高。本分析忽略了散熱路徑至環境空氣的溫度,因為對于具有金屬塊的LFCSP和法蘭封裝,θJA要遠大于θJC。
 
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圖2.等效的熱電路
 
熱阻示例:HMC408LP3評估板
 
HMC408LP3功率放大器采用一塊0.01英寸厚,由Rogers RO4350層壓板構成的評估板。圖3所示的接地焊盤面積為0.065 × 0.065英寸,上有5個直徑為0.012英寸的通孔。電路板頂部和底部分別有1盎司鍍銅(0.0014英寸厚)。通孔采用½盎司銅進行鍍層(0.0007英寸厚)。裝配期間,會在通孔中填塞SN63焊料。分析顯示,幾乎所有的熱流都會流經焊料填塞的通孔。因此,在本分析中,余下的電路板布局都可忽略。
 
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圖3.接地焊盤布局
 
各個熱阻都使用公式1計算得出。計算θSN63時,采用的SN63焊料的熱導率為1.27 W/inK,長度(或者焊接點的厚度)為0.002英寸,焊接面積為0.004225英寸(0.065英寸× 0.065英寸)。
 
http://www.empresariosaem.com/art/artinfo/id/80037379  (4)
 
接下來,以相似方式計算PCB頂部的銅鍍層的值。銅鍍層的熱導率為10.008 W/inK,長度為0.0014 英寸(1盎司銅),鍍層面積為0.00366平方英寸(in2)。
 
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對于通孔上銅鍍層的面積,采用以下公式進行計算
 
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http://www.empresariosaem.com/art/artinfo/id/80037379 (7)
 
因為并排存在5個通孔,所以熱阻要除以5。所以,θVIACU = 8.05°C/W。
 
以相似方式計算得出通孔的填塞焊料的值。
 
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因為存在5個填塞通孔,所以等效熱阻為θVIASN63 = 17.85°C/W。
 
接下來,使用0.01英寸長度、0.016 W/inK的Rogers RO4350熱導率,以及0.00366 in2面積計算PCB的熱阻。
 
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確定功耗
 
熱阻值確定后,必須確定熱流(Q)值。對于RF器件,Q的值表示輸入器件的總功率和器件輸出的總功率之間的差值。總功率包括RF功率和直流功率。
 
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圖4.HMC408LP3功耗與輸入功率
 
對于HMC408LP3功率放大器,使用公式11來計算圖4中所示的PDISS的值。圖4顯示了放大器的以下特性:
 
• 器件消耗約4 W功率,無RF輸入信號。
• 采用RF信號時,PDISS的值由頻率決定。
• 存在某一個輸入功率,器件的功耗最低。
 
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因為指定的HMC408LP3的最大結溫為150°C,所以在PDISS = 4 W時,散熱器的溫度必須≤71.6°C(也就是說,78.4°C + 71.6°C = 150°C)。
 
HMC408LP3功率放大器正常運行時(例如,輸入功率≤ 5 dBm),功耗小于4 W,這表示散熱器的溫度可以稍微高于71.6°C。但是,如果放大器在深度壓縮環境中工作,且輸入功率等效于15 dBm,則PDISS升高,且要求散熱器的溫度低于71.6°C。
 
表3.熱工作數據表
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可靠性
 
組件的預期壽命與工作溫度密切相關。在低于最大結溫的溫度下運行可以延長器件的使用壽命。超過最大結溫會縮短使用壽命。因此,實施熱分析可以確保在預期的操作條件下不會超過指定的最大結溫。
 
結論
 
使用采用LFCSP和法蘭封裝的低結溫表貼RF功率放大器來圍裝熱阻迫使PCB不僅要充當器件之間的RF互連,還要用作導熱路徑以導走功率放大器的熱量。
 
因此,θJC 取代θJA,成為衡量LFCSP或法蘭封裝的重要熱阻指標。
 
在這些計算中,最關鍵的指標是RF放大器的結溫或通道溫度(TJ)。只要不超過最大結溫,那么其他標稱限值,例如TCASE,則可以高于限值。
 
 
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