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光敏電阻從原理到國產(chǎn)替代的全面透視與選型指南
光敏電阻（Photoresistor/LDR）是一種基于光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件，其電阻值隨入射光強(qiáng)度變化而改變。核心材料為硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）等半導(dǎo)體，通過光照激發(fā)載流子（電子-空穴對），降低材料電阻值。無光照時(shí)，暗電阻可達(dá)1.5MΩ；強(qiáng)光照下，亮電阻可低至1kΩ以下。
2025-05-20
光敏電阻
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MOSFET技術(shù)解析：定義、原理與選型策略
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種通過柵極電壓控制源漏電流的半導(dǎo)體器件，具備高輸入阻抗、低功耗、高頻特性等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、通信設(shè)備等領(lǐng)域。
2025-05-20
MOSFET
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線繞電阻與金屬膜電阻技術(shù)對比及選型指南
在電子電路設(shè)計(jì)中，電阻作為基礎(chǔ)元件，其性能直接影響電路的穩(wěn)定性與精度。線繞電阻與金屬膜電阻作為兩大主流類型，在技術(shù)特性與應(yīng)用場景上存在顯著差異。線繞電阻以高精度、強(qiáng)過載能力著稱，常用于工業(yè)控制、儀器儀表等對穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域；而金屬膜電阻則憑借小型化、低成本優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于...
2025-05-20
線繞電阻 金屬膜電阻
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立體視覺的“超感進(jìn)化”：軟硬件協(xié)同突破機(jī)器人感知極限
在動態(tài)非結(jié)構(gòu)化場景中，立體視覺正成為機(jī)器人感知世界的“數(shù)字雙眼”。通過模擬人眼視差原理，雙目相機(jī)系統(tǒng)可生成高密度三維點(diǎn)云，為料箱揀選、無人駕駛等任務(wù)提供厘米級環(huán)境建模。但要將這項(xiàng)技術(shù)嵌入實(shí)時(shí)系統(tǒng)，需跨越三重技術(shù)鴻溝。
2025-05-20
智能軟件 硬件 立體視覺 機(jī)器人
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超越毫秒級響應(yīng)！全局快門圖像傳感器如何驅(qū)動視覺系統(tǒng)效能躍升
基于全局快門的系統(tǒng)可以消除許多常見于視覺系統(tǒng)的視覺偽影（例如擺動、傾斜和空間混疊等），有助于提高速度和準(zhǔn)確性，進(jìn)而能夠提升操作效率。對于條形碼掃描、機(jī)器視覺 (MV) 和自主移動機(jī)器人 (AMR) 等應(yīng)用而言，全局快門成像技術(shù)正迅速成為熱門選擇。
2025-05-20
圖像傳感器 機(jī)器視覺
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中微公司在TechInsights 2025半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查中榮獲兩項(xiàng)第一
在全球技術(shù)分析和知識產(chǎn)權(quán)服務(wù)提供商TechInsights舉辦的2025年半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中榮獲六大獎(jiǎng)項(xiàng)，其中在WFE基礎(chǔ)芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉積設(shè)備（Deposition Equipment）兩個(gè)榜單中位列第一。
2025-05-19
中微公司
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線繞電阻與碳膜電阻技術(shù)對比及選型指南
線繞電阻采用鎳鉻合金等高電阻率金屬絲繞制在陶瓷骨架上，表面覆蓋絕緣釉層。其電阻值由繞線長度、線徑及合金成分決定，典型溫度系數(shù)可達(dá)±5ppm/℃，精度可達(dá)0.01%（E96系列）。碳膜電阻則通過真空沉積工藝在陶瓷基體形成碳基薄膜，電阻值由膜層厚度和碳濃度控制，溫度系數(shù)通常為±200ppm/℃，精度范圍0...
2025-05-18
線繞電阻 碳膜電阻
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