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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設(shè)計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設(shè)計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設(shè)計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設(shè)計中可以增加功率輸出，幫助充電器制造商實現(xiàn)占地面積更小、靈活性更高和可擴展性的目標。對有源功率元件使用先進的隔離封裝，可實現(xiàn)更高的功率密度并顯著減少電路設(shè)計中的熱管理工作，從而解決大功率充電的挑戰(zhàn)。
2022-12-13
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提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關(guān)注的，一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。
2022-12-06
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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RS瑞森半導體高壓MOS在開關(guān)電源中的應用
開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。
2022-11-10
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達峰”和“碳中和”目標的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風電和太陽能（光伏）等發(fā)電方式波動性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風”、“棄光”現(xiàn)象。
2022-10-31
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計挑戰(zhàn)
目前隨著科學技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進步，半導體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設(shè)計挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商。總裁黃興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計能力和工藝水平。
2022-10-19
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應用。
2022-10-13
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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