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Vishay推出低至20m?導通電阻的P溝道高邊負載開關
近日，Vishay推出可在1.5V～5.5V電壓下工作的新款上升斜率控制的P溝道高邊負載開關---SiP32458和SiP32459，在3.3V和5V下的導通電阻為20m?，將4.5V下的導通電壓上升斜率控制在3ms，限制使用容性或噪聲敏感負載的設計方案的涌入電流。
2013-05-06
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Vishay新款功率MOSFET導通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴大至150V，為DC/DC應用提供18mΩ導通電阻，適用于DC/DC轉換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉換器中的初級側和次級側的同步整流。
2013-04-24
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具有2W的高功率0.001Ω低阻值0.5%容差的電阻產品
日前，Vishay宣布，推出2010外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip電阻---WSLP2010。該電阻具有2W的高功率等級和0.001Ω的極低阻值，以及0.5%的穩定電阻容差。
2013-01-28
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非常適合OLED顯示器的0.8mm低外形0805鉭電容
Vishay推出新款MICROTAN片式鉭電容器，新器件0.8mm至1.0mm高度及外形尺寸可用于空間受限的消費電子產品，具有3.3μF-35V～220μF-4V的高CV等級。
2013-01-23
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具有3KW抗浪涌能力的汽車級SMT雙向TVS
Vishay新款表面貼裝TRANSZORB雙向TVS具有3kW的高浪涌能力，該器件采用SMC DO-214AB封裝，浪涌能力是傳統1.5kW器件的兩倍，可保護敏感的電子設備免遭由系統感性負載切換和閃電所引入的電壓瞬態的破壞。
2013-01-16
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新款表面貼裝TVS：比傳統器件浪涌能力高233%
Vishay的新款表面貼裝PAR TVS器件具有5kW的高浪涌能力，該器件采用DO-214AB封裝和+185℃的工作結溫，比采用SMC封裝的傳統1.5kW器件的浪涌能力高233%,該系列器件可用于汽車和電信應用。
2013-01-14
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經AEC-Q101認證的40V N溝道功率MOSFET
近日，Vishay推出采用7腳D2PAK封裝的新款Siliconix 40V N溝道TrenchFET功率MOSFET，該產品通過AEC-Q101認證并具有1.1mΩ的低導通電阻和200A的連續漏極電流。
2013-01-10
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適用于升壓轉換器、低功率逆變器的功率MOSFET
Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應用中節省PCB空間，其低導通電阻可實現更低的導通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。
2013-01-10
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0.001Ω的極低阻值的高性能應用電阻
2010外形尺寸的Vishay新款Power Metal Strip電阻具有2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，新器件使工程師能夠用盡可能小的電阻設計出高功率電路，用于更高性能的最終產品。
2013-01-09
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探測距離可達1米的接近傳感器發布
Vishay發布探測距離可超過1米，同時具有優異的抵御環境光能力的全集成接近傳感器，該傳感器把紅外發射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC集成進小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm的封裝，是目前最具市場潛力的小尺寸，全集成產品。
2013-01-08
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針對高溫汽車應用的新款IHLP電感器
Vishay推出新款低外形、高電流電感器，器件的頻率范圍達到1MHz，可用作電壓調節模塊和DC/DC轉換器的解決方案，既高效，又節約空間和能源。新電感器可處理高瞬態電流尖峰而不會硬飽和。
2012-12-26
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具有0.001Ω極低阻值的2010尺寸新款電阻
Vishay推出新款Power Metal Strip電阻，該器件具有2010外形尺寸、2W功率等級和0.001Ω的極低阻值，并且能夠幫助工程師用盡可能小的電阻設計出高功率電路，用于更高性能的最終產品。
2012-12-21
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