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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發與驗證。
2023-07-10
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新能源汽車加速爆發，功率器件迎來增長新契機
在當前全球經濟衰退和整個半導體行業下行周期背景下，汽車半導體似乎成為了一個逆勢的窗口產業。與此同時，隨著汽車電動化、智能化、網聯化、共享化等新四化發展趨勢，以及新能源汽車產銷兩旺的持續景氣市場，汽車電子迎來結構性變革機遇。
2023-07-05
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英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割
近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發揮出了其高效率高功率密度的優點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。
2023-06-27
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯網技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產給晶圓制造商帶來了多重挑戰。
2023-06-19
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確保可靠的柵極氧化物和具有較低傳導損耗的器件。測試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉換器應用中，溫度較低的器件運行溫度約為 25°C。據估計，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對其 SiC 產品進行了 100% 的雪崩測試，其示例如圖 3 所示。
2023-05-31
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解析智能功率開關
功率器件可以在各種非正常工況下保護自己并報錯會大大提高功率器件自身的可靠性和整個系統的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經典產品PROFET系列為例，它集成了診斷和保護功能(Protect)的功率器件(MOSFET)，它可以對異常工況作出反應，并及時向控制單元匯報。尤其是在汽車級的應用中，汽車復雜的電氣架構大大提高了電子的故障檢測的難度，我們需要知道電路和器件的工作狀態，才能快速對故障進行定位。
2023-05-17
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瑞能半導體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當地時間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊，豐富的產品矩陣彰顯了瑞能半導體領先的產品實力和對未來電力電子行業可持續發展的思考，受到了與會者的高度關注。CEO Markus Mosen先生率領公司研發工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現場。
2023-05-10
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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應協議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長期供應協議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續航里程。
2023-05-03
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總結肖特基勢壘二極管對寬帶隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業界采用寬帶隙材料來滿足功率器件應用中的低功耗需求。這種需求導致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
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常見的24V電池供電的應用有哪些？
從電動汽車、摩托艇到光伏裝置和數據中心，電池供電系統正蓬勃發展。目前的趨勢主要是增加系統的運行電壓以縮減系統尺寸、重量或增加負載的可用功率。在寬輸入功率器件的不斷進步下，處在這股潮流最前線的是從 12V 轉換到 24V 的應用。
2023-04-24
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RS瑞森半導體在汽車充電樁上的應用
充電樁按照技術分類，可分為交流充電樁也叫“慢充”，直流充電樁也叫“快充”，隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場的發展前景也更加廣闊。目前充電樁的母線電壓范圍通常為400V～700V，但隨著快速充電的需求不斷增加，整個電壓平臺都會向 800～1000V以上提升，電壓等級提升的同時也凸顯了SiC功率器件的優勢。
2023-04-18
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針對高壓應用優化寬帶隙半導體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現高效率。為了優化可控制造技術，可以使用特定的導通電阻來控制系統中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導通電阻仍然是優化和摻雜其單元設計的關鍵參數。電導率的主要行業標準是材料技術中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
- 即插即用的6TOPS算力：慧為智能RK3588 SMARC核心板正式商用
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