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貿澤電子與Analog Devices聯手推出新電子書探討電子設計中的電源效率與穩健性
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 聯手推出一本新電子書，重點介紹優化電源系統的基本策略。在《Powering the Future: Advanced Power Solutions for Efficiency and Robustness》（面向未來的供電：兼顧效率與穩健性的先進電源解決方案）這本電子書中，ADI和貿澤的主題專家對電源系統中的重要組件、架構和應用進行了深入分析。
2024-11-15
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如何利用英飛凌MOTIX? embedded power硬件機制標定小電機ECU
英飛凌MOTIX? MCU專為實現一系列電機控制應用的機電電機控制解決方案而設計，在這些應用中，小尺寸封裝和最少數量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC風扇，發動機冷卻風扇，水泵。由于電機量產的參數的非一致性。需要對這些小電機進行產線級別標定。以下是一些適配MOTIX? MCU 硬件特性的標定方法參考。
2024-11-12
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宜普電源轉換公司勝訴，美國國際貿易委員會終裁確認英諾賽科侵權
宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡稱宜普公司）今日宣布美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會維持此前的初步裁定，確認英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術專利。該相關專利對人工智能、衛星、快速充電器、仿人機器人、自動駕駛以及其他許多技術的發展均至關重要。美國國際貿易委員會決定禁止英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.）和其子公司（以下簡稱英諾賽科）在未獲宜普公司授權的情況下將相關氮化鎵產品進口至美國。
2024-11-11
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基于GPU器件行為的創新分布式功能安全機制為智能駕駛保駕護航
隨著汽車智能化程度的快速提高，大量新的處理器和系統級芯片（SoC）被廣泛引入到車輛中，無論是在駕駛還是座艙等場景，無論采用域控制器模式還是新興的中央控制單元模式，都無一例外地在考慮加入更加智能化的新功能。但是隨之而來的是這些控制單元中的相關芯片的系統級故障或意外行為可能引起的危險，因此需要發現這些故障或可能的意外并提供相應的保護措施，這個過程就是為汽車芯片建立和提供功能安全（Functional Safety，亦簡稱FuSa）解決方案。
2024-10-12
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意法半導體與高通達成無線物聯網戰略合作
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術國際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡稱QTI）近日宣布，雙方達成一項新的戰略協議，合作開發基于邊緣 AI的下一代工業和消費物聯網解決方案。
2024-10-11
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貿澤推出全新一期EIT系列 探索可持續智能電網的技術創新
貿澤電子 (Mouser Electronics) 發布Empowering Innovation Together (共求創新，EIT) 計劃全新一期技術內容，探討將可再生能源納入智能電網技術的好處，并重點介紹AI和5G在實現可持續電網管理中的作用。
2024-09-25
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貿澤電子對FIRST創始人兼發明家Dean Kamen進行視頻專訪
貿澤電子 (Mouser Electronics) 很高興推出與工程師、發明家兼FIRST? (For Inspiration and Recognition of Science and Technology) 創始人Dean Kamen的視頻專訪。這家非營利機構致力于通過機器人實踐項目，推動青少年的科學、技術、工程與數學 (STEM) 教育。自2014年以來，貿澤一直是FIRST的主要贊助商之一，協助該機構每年持續激發數十萬年輕人的創新靈感，培養他們全面的STEM和生活技能。
2024-09-09
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2024CIOE中國光博會 | 傲科光電邀您相約12A59展位！
匯聚全球光電科技，盡在中國深圳光電博覽會(CIOE)。本屆CIOE將于2024年9月11-13日在深圳國際會展中心(寶安新館)隆重舉辦。在這個全球光電科技匯聚的盛會上，傲科光電將展示業界領先的400G/800G/1.6T 應用的全系列Driver、TIA及硅光解決方案。
2024-09-09
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態？
這要從IGBT的平面結構說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結構，MOS中的漏極D相當于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當于IGBT的發射極E，二者都會發生退飽和現象。下圖所示是一個簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現強反型層，形成導電溝道。
2024-08-30
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可調速工業電機驅動器有哪些不同類型
本文簡要介紹了 VSD 和 VFD 的常用定義，并探討了廣泛使用 VFD 的原因。然后，回顧了 IEC 61800-9 中為交流驅動器定義的效率等級，并介紹了 Delta Electronics、Siemens、Schneider Electric 和 Omron Automation 提供的典型市電供電型 VFD，最后還以 MEAN WELL 的示例系統為例，探討了 VFD 在 AMR 和其他電池供電型系統中的應用。
2024-08-13
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西門子Xcelerator即服務助力松下進行家電開發數字化轉型
西門子支持全球領先的電子產品制造商松下電器將產品開發和設計數據管理轉移到軟件即服務(SaaS)模式,作為其數字化轉型(DX)策略——“松下轉型”(Panasonic Transformation – PX)的一部分
2024-08-06
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半導體后端工藝｜第九篇：探索不同材料在傳統半導體封裝中的作用
可靠性和穩定性是保障半導體產品順暢運行的關鍵因素。半導體器件的封裝必須注意避免受到物理、化學和熱損傷。因此，封裝材料必須具備一定的質量要求。隨著業界對半導體產品運行速度的要求不斷提高，封裝材料需要具備更優異的電氣性能，比如具備低介電常數（Permittivity）1和介電損耗（Dielectric Loss）2的基板等。
2024-08-02
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