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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優劣，以及PI對于三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優勢。
2023-11-16
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Transphorm氮化鎵器件將DAH Solar SolarUnit的傳統優勢發揮到極致
DAH Solar的世界首個集成型光伏（PV）系統采用了Transphorm氮化鎵平臺，該集成型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產品。使用了Transphorm的功率器件不僅能夠生產出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統，同時還能以更低的能耗提供更高的總發電量。與目前常用的硅基解決方案相比，氮化鎵器件能做到更高的開關頻率和功率密度。更值得一提的是，系統中使用的這兩款氮化鎵功率管均采用 PQFN88 高性能封裝，可與常用柵極驅動器配對，從而幫助 DAH Solar 縮短了設計時間。
2023-10-16
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從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數字。比如在中國，根據國家能源局發布的數據，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。
2023-10-09
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半導體功率器件的無鉛回流焊
半導體器件與 PCB 的焊接歷來使用錫/鉛焊料，但根據環境法規的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數適合這些應用的無鉛焊料是具有較高熔點的錫/銀合金，相應地具有較高的焊料回流溫度。
2023-10-09
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多元融合高彈性電網初落地，電源和功率器件迎行業風口
每到盛夏，我國江浙沿海一帶就會出現電力緊張問題。因此，“高溫下保供電”便成為各地的主要方針。同時，隨著新能源汽車滲透率提升，電能供應的挑戰會越來越大。為了能夠更好地解決供電難題，多元融合高彈性電網成為電力能源領域的熱門概念，并已經得到了初步的落實。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。
2023-09-18
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如何在有限空間里實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法！
SiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半導體市場，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經是大勢所趨。
2023-09-15
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如何選擇和開始使用功率器件驅動器
所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是系統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經為新型電力電子產品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩杰半導體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會
11月1日-3日，中國第三代半導體功率器件的領先品牌--派恩杰半導體將于廣州保利世貿博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術展覽會。
2023-07-31
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