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從 L1~L5 自動駕駛芯片發生了哪些變化？
汽車芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類。在傳統燃油車中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前面提到的汽車電動化、智能化的演進，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車中更是超過了 2000 顆/輛，未來隨著電車智能化的升級，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。
2023-12-04
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OBC PFC車規功率器件結溫波動與功率循環壽命分析
隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(OBC)作為電網與車載電池之間的單向充電或雙向補能的車載電源設備，也得到了非常廣泛的應用。相比車載主驅電控逆變器， 電源類OBC產品復雜度高，如何實現其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價比等核心指標的優化與平衡，一直是OBC不斷技術迭代與產品革新的方向。
2023-11-26
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上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案
作為一種電源轉換器，車載逆變電源能夠將儲能電池直流電轉換為220V的交流電，給筆記本電腦、數碼相機、無人機等設備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦波兩種類型，修正弦波車載逆變電源價格便宜，但輸出波形質量較差，適用于小功率用電設備；純正弦波車載逆變電源可提供高質量交流電，適用于大部分用電設備，工作穩定，但價格較貴。
2023-11-23
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商業、建筑和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優劣，以及PI對于三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優勢。
2023-11-16
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Transphorm氮化鎵器件將DAH Solar SolarUnit的傳統優勢發揮到極致
DAH Solar的世界首個集成型光伏（PV）系統采用了Transphorm氮化鎵平臺，該集成型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產品。使用了Transphorm的功率器件不僅能夠生產出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統，同時還能以更低的能耗提供更高的總發電量。與目前常用的硅基解決方案相比，氮化鎵器件能做到更高的開關頻率和功率密度。更值得一提的是，系統中使用的這兩款氮化鎵功率管均采用 PQFN88 高性能封裝，可與常用柵極驅動器配對，從而幫助 DAH Solar 縮短了設計時間。
2023-10-16
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從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數字。比如在中國，根據國家能源局發布的數據，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。
2023-10-09
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半導體功率器件的無鉛回流焊
半導體器件與 PCB 的焊接歷來使用錫/鉛焊料，但根據環境法規的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數適合這些應用的無鉛焊料是具有較高熔點的錫/銀合金，相應地具有較高的焊料回流溫度。
2023-10-09
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多元融合高彈性電網初落地，電源和功率器件迎行業風口
每到盛夏，我國江浙沿海一帶就會出現電力緊張問題。因此，“高溫下保供電”便成為各地的主要方針。同時，隨著新能源汽車滲透率提升，電能供應的挑戰會越來越大。為了能夠更好地解決供電難題，多元融合高彈性電網成為電力能源領域的熱門概念，并已經得到了初步的落實。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。
2023-09-18
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如何在有限空間里實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法！
SiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半導體市場，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經是大勢所趨。
2023-09-15
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