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什么是鐵電存儲(chǔ)器？
隨著我們進(jìn)入超智能和超互聯(lián)的第四次工業(yè)革命時(shí)代，高密度和高性能存儲(chǔ)器的重要性比以往任何時(shí)候都更大。目前應(yīng)用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應(yīng)存儲(chǔ)信息，存在功耗高、運(yùn)行速度慢、易重復(fù)使用等問(wèn)題。為此，POSTECH的一個(gè)研究小組最近展示了一種鐵電存儲(chǔ)器，它在運(yùn)行速度、功耗和設(shè)備可靠性方面都超過(guò)了傳統(tǒng)閃存的性能。
2021-01-21
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為何eMMC芯片磨損導(dǎo)致MCU和車輛無(wú)法正常運(yùn)作？
ODI最近對(duì)較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負(fù)載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問(wèn)題。
2021-01-13
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貿(mào)澤與兆易創(chuàng)新簽署全球分銷協(xié)議，備貨多款高性能存儲(chǔ)器產(chǎn)品
2020年2月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名的非易失性存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新 (GigaDevice) 簽署全球分銷協(xié)議并達(dá)成合作伙伴關(guān)系。簽署此項(xiàng)協(xié)議后，貿(mào)澤電子現(xiàn)已成為兆易創(chuàng)新SPI NOR、SPI NAND和Parallel NAND Flash產(chǎn)品的授權(quán)分銷商，這些器件適用于汽車、消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、工業(yè)、移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和通信等嵌入式應(yīng)用。
2020-02-28
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慧榮科技將于2018中國(guó)閃存峰會(huì)上展出最新存儲(chǔ)主控芯片解決方案
全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技，將于9月19日在深圳舉辦的“2018中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（China Flash Market Summit）〞展示全系列最新主控芯片解決方案來(lái)滿足全方位巿場(chǎng)需求，其包括專為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲(chǔ)市場(chǎng)帶來(lái)最完整的解決方案，此外支持高速移動(dòng)存儲(chǔ)方案，慧榮將展示UFS 2.1主控芯片為移動(dòng)設(shè)備提供無(wú)與倫比的高性能、大容量的嵌入式存儲(chǔ)解決方案，將主流市場(chǎng)上的移動(dòng)存儲(chǔ)提高到新檔次。
2018-09-20
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慧榮科技榮獲中國(guó)財(cái)經(jīng)峰會(huì)“2017年度最具影響力企業(yè)大獎(jiǎng)”
2017年11月30日，中國(guó)北京——在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達(dá)克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國(guó)財(cái)經(jīng)峰會(huì)·冬季論壇組委會(huì)頒發(fā)的“2017年度最具影響力企業(yè)大獎(jiǎng)”，以表彰其多年來(lái)在閃存控制芯片領(lǐng)域所做出的杰出貢獻(xiàn)。頒獎(jiǎng)典禮于今日在北京舉行，慧榮科技市場(chǎng)營(yíng)銷暨OEM事業(yè)資深副總段喜亭先生出席典禮。
2017-12-01
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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)在爭(zhēng)什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
2017-03-22
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大象關(guān)冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實(shí)現(xiàn)
目前，存儲(chǔ)領(lǐng)域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個(gè)非常熱門(mén)的領(lǐng)域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿足商用可靠存儲(chǔ)的需要。本文目的提出一種可以硬實(shí)現(xiàn)的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實(shí)現(xiàn)，從總體上較CPU固件實(shí)現(xiàn)有較好的功耗比和高速性能的目標(biāo)。
2016-02-25
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揭秘手機(jī)內(nèi)存真相：實(shí)際少于16G為何要標(biāo)稱有16G內(nèi)存？
目前市面上的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。這兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢？為什么實(shí)際容量往往會(huì)比標(biāo)示的少呢？
2016-01-19
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用圖來(lái)說(shuō)話，解答Android設(shè)備處理器最大懸念：內(nèi)核越多性能越強(qiáng)？
日前，來(lái)自Anandtech的多位極客進(jìn)行了一場(chǎng)關(guān)于移動(dòng)芯片核心性能的大規(guī)模測(cè)試，為Android智能手機(jī)是否核心越多性能就越強(qiáng)這一充滿爭(zhēng)議的話題蓋棺定論。
2015-09-07
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閃存是什么？
閃存是什么？今天我們就一起來(lái)學(xué)習(xí)閃存的知識(shí)。本文主要講解的內(nèi)容有閃存簡(jiǎn)介和閃存的概念和閃存的技術(shù)及特點(diǎn)以及決定NAND型閃存的因素有哪些和閃卡的優(yōu)點(diǎn)這些內(nèi)容。接下來(lái)就為大家講解相關(guān)的知識(shí)。
2013-06-29
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集成電路的發(fā)展
根據(jù)小編所了解早在1830年，科學(xué)家已于實(shí)驗(yàn)室展開(kāi)對(duì)半導(dǎo)體的研究。他們最初的研究對(duì)像是一些在加熱后電阻值會(huì)增加的元素和化合物。這些物質(zhì)有一共同點(diǎn)，當(dāng)它們被光線照射時(shí)，會(huì)容許電流單向通過(guò)，我們可藉此控制電流的方向，稱為光電導(dǎo)效應(yīng)。在無(wú)線電接收器中，負(fù)責(zé)偵測(cè)訊息的整流器，就是一種半導(dǎo)體電子儀器的例子。德國(guó)的Ferdinand Braun利用了半導(dǎo)體方鉛礦，一種硫化鉛化合物的整流特性，創(chuàng)制世上第一臺(tái)整流偵測(cè)器，后世俗稱為貓胡子的偵測(cè)器。基于半導(dǎo)體的整流特性，我們能在整流偵測(cè)器內(nèi)的金屬接觸面和半導(dǎo)體間建立起一電勢(shì)差，令電子在某一方向流動(dòng)時(shí)為“順流而下”，反之則“逆流而上”。至此，半導(dǎo)體電子儀器起始面世。
2012-12-02
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NOR和NAND比較有何不同
NOR和NAND比較有何不同
2012-11-19
- 0.1微伏決定生死！儀表放大器如何成為醫(yī)療設(shè)備的“聽(tīng)診器”
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