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電源設計更快更好，高效能圖騰柱PFC應用須知
現今電源供應器市場為因應全球減碳活動，已經將效能目標設定為更高效率、減少損失、節省能源、降低成本、提高系統容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設計方案，相較傳統PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應器之節省能源，降低成本，提高系統容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負載暫態補償響應，以及高規格安規等級各式保護功能，特別是具有PFC-OK訊號供應后級電源時序控制，NCP1680/1681應用達到高效率，高功率因子，以及高穩定性PFC應用。
2023-07-28
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基于PSoC 6 Matter的智能家居解決方案
近年來，智能家居產業的快速發展，推動了原有家居產業園區的轉型升級，同時，不斷擴大的智能家居市場需求，以及傳統家居產業的轉移，為很多地方布局新的智能家居產業園建設帶來了機會。在2019年底中國已成為全球最大的物聯網市場，全球15億臺蜂窩網絡連接設備中9.6億臺來自中國，占比64%。
2023-07-26
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為什么Tier1要開發控制器的電源管理芯片？
電源管理芯片（SBC：System Base Chip）是控制器（MCU）外圍器件工作電壓的提供者，沒有SBC供電，控制器的外圍器件則無法工作。使用SBC主要目的：降低硬件系統設計的復雜度和成本。可見，SBC在控制器開發中的重要性。對于商業行為，我們知道，降低成本意味著利潤的提高，而且，有利于產品搶占更大的市場份額。
2023-07-26
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基于自振蕩混頻的X波段單器件收發電路設計分析
作為通信系統中的兩個關鍵的電路單元，混頻器和振蕩器起著至關重要的作用。在無線通信中，混頻器與振蕩器的設計直接關系到整個電路是否具有高性能與高穩定性的品質。在接收前端電路中，混頻器作為實現頻率搬移的器件，將由天線所接收到的射頻(Radio Frequency，RF)信號與振蕩器所提供的本地振蕩(Local Oscillation，LO)信號源進行線性的頻率變換，從而得到方便處理的中頻(Intermediate Frequency，IF)信號。
2023-07-26
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作， 協議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領行業的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識，接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開關損耗環境的概念和優勢。該虛擬環境還可用來研究系統性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLECS 模型以及相關的影響?？偨Y部分闡明了安森美工具比業內其他用于電力電子系統級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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IOTE 2023深圳物聯網展邀請函
IOTE 2023 第二十屆國際物聯網展·深圳站，將于2023年9月20-22日在深圳國際會展中心（寶安）震撼來襲，以“IoT構建數字經濟底座”為主題，將IoT技術引入實體經濟領域，促進數字化轉型和智能化升級，推進智能家居、工業互聯網、智慧城市、智慧醫療等多個領域的數智化深度融合，共同推動全球數字經濟的繁榮與進步。
2023-07-14
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SiFive中國技術論壇圓滿落幕, 實力詮釋RISC-V成“垂直半導體時代”必選項
“RISC-V勢不可擋，” 暌違中國數年的RISC-V主要發明人、SiFive共同創辦人兼首席架構師Krste Asanovic教授，在近日剛剛圓滿落幕的2023 SiFive RISC-V中國技術論壇北京、上海、深圳三地巡回演講時，始終強調了這一核心思想。
2023-07-10
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高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
在現今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產品系列以滿足發展中的需求。這些產品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
2023-07-08
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5G VoNR Vs. 4G VoLTE ! 5G雙連接下的載波聚合是怎樣的？
5G的網絡架構其實承襲自4G，只支持分組交換，不支持電路交換，也就是說自身的5GC核心網是沒法支撐語音業務的，必須依賴于一個叫做IMS的系統。
2023-07-05
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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