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隔離驅(qū)動IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用戶可以設(shè)計(jì)出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
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SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計(jì)增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認(rèn)為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽本文細(xì)細(xì)分解。
2013-05-16
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電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來臨：IR開始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強(qiáng)型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計(jì)
通過結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
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通過建立優(yōu)化模型和目標(biāo)函數(shù)實(shí)現(xiàn)電化學(xué)整流電源電聯(lián)接
電化學(xué)整流電源是一種高耗能設(shè)備，提高整流效率、降低額外損耗是這類電力電子變換裝置的一個(gè)重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進(jìn)，均流問題也不再突出，所以從效率、損耗方面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)是必要的。
2013-01-07
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無Y電容的充電器變壓器補(bǔ)償設(shè)計(jì)方法
在開關(guān)電源中，功率器件高頻導(dǎo)通/關(guān)斷的操作導(dǎo)致的電流和電壓的快速變化而產(chǎn)生較高的電壓及電流尖峰是產(chǎn)生EMI的主要原因。通常情況下，系統(tǒng)前端要加濾除器和Y電容，Y電容的存在會使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機(jī)充電器會讓使用者有觸電的危險(xiǎn)，因此，一些手機(jī)制造商開始采用無Y電容的充電器，然而，去除Y電容會給EMI的設(shè)計(jì)帶來困難，本文將介紹無Y電容的充電器變壓器補(bǔ)償設(shè)計(jì)方法。
2012-12-18
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GaN壓力來襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價(jià)格過高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實(shí)際應(yīng)用都很少。隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點(diǎn)，受到越來越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時(shí)才會實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2012-12-13
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MOS晶體管
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結(jié)構(gòu)：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關(guān)晶閘管(EST)。
2012-12-13
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電子負(fù)載儀簡介
電子負(fù)載，顧名思義，是用電子器件實(shí)現(xiàn)的“負(fù)載”功能，其輸出端口符合歐姆定律。具體地說，電子負(fù)載是通過控制內(nèi)部功率器件MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量，使功率管耗散功率，消耗電能的設(shè)備。
2012-11-30
- 線繞電阻技術(shù)解析與選型策略
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