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線性LED驅動IC對比：盤點幾款大功率LED線性驅動
如果你認為線性功率IC功耗太大，不好用，技術落后，那么你就錯了！本文將幾款IC與高速轉換型DC-DC類型IC進行對比分析，講解線性功率器件IC設計的一些注意要點，并盤點了幾款線性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
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隔離驅動IGBT功率器件設計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產品，品質因數降半
富士通半導體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。基于富士通新型GaN功率器件，用戶可以設計出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
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SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預計增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅動。SiC肖特基二極管已經有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現在應該選用他們嗎？
2013-06-19
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當應用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關品質因數，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉換器應用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
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電源轉換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內率先商業(yè)付運可大幅提高現有電源轉換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術，氮化鎵技術平臺能夠將客戶的電源應用的性能指數(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現使市場快速接受開關電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領市場。硅功率MOSFET在電源轉換領域的發(fā)展已經走到盡頭了嗎？
2013-05-15
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設計
通過結合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
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通過建立優(yōu)化模型和目標函數實現電化學整流電源電聯(lián)接
電化學整流電源是一種高耗能設備，提高整流效率、降低額外損耗是這類電力電子變換裝置的一個重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術的改進，均流問題也不再突出，所以從效率、損耗方面進行優(yōu)化設計是必要的。
2013-01-07
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無Y電容的充電器變壓器補償設計方法
在開關電源中，功率器件高頻導通/關斷的操作導致的電流和電壓的快速變化而產生較高的電壓及電流尖峰是產生EMI的主要原因。通常情況下，系統(tǒng)前端要加濾除器和Y電容，Y電容的存在會使輸入和輸出線間產生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機充電器會讓使用者有觸電的危險，因此，一些手機制造商開始采用無Y電容的充電器，然而，去除Y電容會給EMI的設計帶來困難，本文將介紹無Y電容的充電器變壓器補償設計方法。
2012-12-18
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GaN壓力來襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價格過高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產品系列的實際應用都很少。隨著降低環(huán)境負荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點，受到越來越多的重視，研發(fā)生產日益活躍。然而，SiC器件何時才會實現大規(guī)模商用，成為業(yè)界關注的焦點。
2012-12-13
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MOS晶體管
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開通和關斷特性，可望具有優(yōu)良的自關斷動態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結構：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關晶閘管(EST)。
2012-12-13
- 高精度低噪聲 or 大功率強驅動？儀表放大器與功率放大器選型指南
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