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Vishay推出10款汽車級新型IHLP低高度、高電流電感器
Vishay發布10款溫度范圍擴展至+155℃的新型IHLP低高度、高電流電感器，可用于汽車和商業應用。器件具有5種外形尺寸，高度低至 3.0mm，頻率范圍高達1MHz，可用作電壓調節模塊(VRM)和DC/DC轉換器應用的高性能、節省空間和能耗的解決方案…
2012-09-14
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Vishay高精度薄膜SMD環繞片式電阻陣列助力航空應用
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布新系列適用于高溫鉆井和航空應用的高精度薄膜SMD環繞片式電阻陣列---PRAHT。新的PRAHT四電阻網絡的工作溫度為-55℃～+215℃，最高存儲溫度為+230℃，是業內首個采用薄膜技術制造的電阻陣列。
2012-09-03
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Vishay小型封裝LED發光強度實現超群亮度
Vishay光電子產品部發布新VLMx1500-GS08系列采用小型表面貼裝0402 ChipLED封裝的大紅、淺橙、黃、嫩綠、藍色和白色的超亮LED。VLMx1500-GS08系列器件的尺寸為1.0mm x 0.5mm，高0.35mm，180mcd的發光強度實現了超群亮度。
2012-08-22
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Vishay具有5mm檢測范圍的新反射光學傳感器
Vishay Intertechnology 宣布推出采用微型表面安裝封裝的帶晶體管輸出的新反射光學傳感器。TCNT2000 的尺寸只有 3.4mm x 2.7mmx 1.5mm，能提供 0.2mm 到 5mm 的檢測范圍，適用于消費類、工業和計算設備。
2012-08-17
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Vishay高電流、高溫環形電感器可減少EMI的環形設計
Vishay近日推出的 TJ3-HT 和 TJ5-HT 電感器具有高達+200°C 的高額定工作溫度和可減少EMI 的環形設計，特別適合汽車、工業和深井鉆探產品的開關電源、EMI/ RFI 過濾和輸出扼流圈。
2012-08-16
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最新“e絡盟專題”：針對醫療應用的方案資源庫
首個融合電子商務與在線社區的電子元件分銷商e絡盟近日推出了最新一期“e絡盟專題”，專題提供針對醫療應用的設計參考資料、元器件及解決方案，其中不乏行業領先制造商Molex、德州儀器、Vishay等最新創新產品。詳情請看本文報道。
2012-08-10
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Vishay 4款多層陶瓷片式天線工作在868MHz和915MHz頻率
日前Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件，這些器件可接收和發送868MHz(VJ5301M868MXBSR和VJ5601M868MXBSR)和915MHz(VJ5301M915MXBSR和VJ5601M915MXBSR)的數字信號，擴充了其陶瓷片式天線產品線。
2012-08-09
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Vishay高度集成解決方案：microBUCK?同步降壓調節器
microBUCK? 集成同步降壓調節器系列利用 Vishay 的分立 MOSFET 設計、IC 專業技術和封裝功能的獨特組合，為客戶提供經濟的高性能集成式解決方案。 最新系列 4A SiC413 和10A SiC417 提供 4.75V 到 26V（對于SiC413）和 3V 到 28V（對于 SiC417）的寬輸入電壓范圍，最小輸出電壓分別低至 0.6V 和 0.5V。
2012-07-18
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Vishay新系列3相圓柱形電容器脈沖電流高達21.3kA
Vishay推出用于電力電子產品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標準電壓等級，以及豐富的容值和封裝選項。日前發布的EMKP電容器有160mm～265mm共4種高度，64mm～136mm共5種直徑。器件的電流等級取決于套管類型，從3 x 56A至3 x 104A，脈沖電流高達 21.3kA，自感小于100nH，串聯電阻低至0.6m?，容值為4.0μF～600μF，容值容差為±5%。
2012-07-04
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Vishay發布用于工業傳動和逆變器的3相圓柱形電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電力電子產品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標準電壓等級，以及豐富的容值和封裝選項。
2012-07-02
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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時導通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻，4.5V時導通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
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SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新導通電阻的最低記錄
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
2012-06-28
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