【導(dǎo)讀】具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)
1 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對策，需要逐一了解電壓的行為。
具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為。
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時
關(guān)于橋式結(jié)構(gòu)中具有驅(qū)動器源極引腳的低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為，將與上一篇文章一樣，重點(diǎn)介紹與沒有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品之間的區(qū)別。
下圖為關(guān)斷時的各開關(guān)波形，左側(cè)為不帶驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品，右側(cè)為帶驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品。各橫軸表示時間，時間范圍Tk（k=3～7）的定義在波形圖下方有述。右下方的電路圖中給出了TO-247-4L封裝產(chǎn)品在橋式電路中的柵極引腳電流情況。在波形圖和電路圖中，用（IV）～（VII）來表示每個時間范圍中發(fā)生的事件。事件（VII）在T5期間結(jié)束后立即發(fā)生。
在橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的各開關(guān)波形
時間范圍的定義
T3：LS導(dǎo)通期間
T4：LS關(guān)斷、MOSFET電壓變化期間【事件（IV）同時發(fā)生】
T5：LS關(guān)斷、MOSFET電流變化期間【事件（VI）同時發(fā)生】
T4～T6：HS導(dǎo)通之前的死區(qū)時間
T7：HS為導(dǎo)通期間（同步整流期間）
TO-247-4L：LS關(guān)斷時的柵極引腳電流
在波形圖比較中，TO-247-4L的事件（VI）和（VII）與TO-247N的事件不同。
事件（VI）是ID發(fā)生變化的時間點(diǎn)，這一點(diǎn)與導(dǎo)通時的情況一致。當(dāng)HS的ID_HS急劇增加時，體二極管的VF_HS急劇上升（前面波形圖中的虛線圓圈）。因此，會再次流過dVF_HS/dt導(dǎo)致的電流ICGD，并產(chǎn)生負(fù)浪涌。
右圖為關(guān)斷時開關(guān)側(cè)（LS）和換流側(cè)（HS）的VDS波形。通過波形可以看出，與導(dǎo)通時的情況一樣，HS的VDS_HS是在本來的dVDS_HS/dt（T4期間）結(jié)束后的ID變化時（T5期間）向負(fù)端變化，并產(chǎn)生了dVF_HS/dt。
TO-247-4和TO-247-4L關(guān)斷時的VDS波形比較
事件（VII）是在T5期間結(jié)束、ID_HS的變化消失時，dVF_HS/dt消失，要流入柵極引腳的ICGD不再流動，ICGD的電流路徑中存在的布線電感中積蓄的能量引起的電動勢，作為柵極和源極之間的正浪涌被觀測到。而在TO-247N封裝的產(chǎn)品中，這種正浪涌幾乎觀測不到。
關(guān)于TO-247N封裝產(chǎn)品關(guān)斷動作的詳細(xì)介紹，請參考Tech Web基礎(chǔ)知識SiC功率元器件系列中的文章“低邊開關(guān)關(guān)斷時的Gate-Source間電壓的動作”或應(yīng)用指南的“關(guān)斷時柵極信號的動作”。
右圖是TO-247-4L封裝產(chǎn)品關(guān)斷時的VGS波形。該波形圖對是否采取了浪涌對策的結(jié)果進(jìn)行了比較。從圖中可以看出，與導(dǎo)通時一樣，在沒有采取浪涌對策（Non-Protected）的情況下，發(fā)生了前述的浪涌。而實(shí)施了浪涌對策（Protected）后，很好地抑制了VGS浪涌。
TO-247-4L關(guān)斷時的VGS波形（有無對策）
為了抑制這些浪涌，必須了解上一篇文章和本文中介紹過的柵-源電壓的行為，并緊挨SiC MOSFET連接浪涌抑制電路作為對策。
來源：ROHM
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