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電源完整性分析——謹慎使用磁珠

發(fā)布時間:2020-06-18 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】磁珠的全稱為鐵氧體磁珠濾波器(另有一種是非晶合金磁性材料制作的磁珠),是一種抗干擾元件,濾除高頻噪聲效果顯著。磁珠的主要原料為鐵氧體。鐵氧體是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料。鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金,它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似,顏色為灰黑色。
  
磁珠的全稱為鐵氧體磁珠濾波器(另有一種是非晶合金磁性材料制作的磁珠),是一種抗干擾元件,濾除高頻噪聲效果顯著。磁珠的主要原料為鐵氧體。鐵氧體是一種立方晶格結(jié)構(gòu)的亞鐵磁性材料。鐵氧體材料為鐵鎂合金或鐵鎳合金,它的制造工藝和機械性能與陶瓷相似,顏色為灰黑色。
 
磁珠基礎(chǔ)知識
 
磁珠(Ferrite bead)有很高的電阻率和磁導(dǎo)率,其等效電路是一個 DCR 電阻串聯(lián)一個電感并聯(lián)一個電容和一個電阻。 DCR 是一個恒定值,但后面三個元件都是頻率的函數(shù),也就是說它們的感抗,容抗和阻抗會隨著頻率的變化而變化,當(dāng)然它們阻值,感值和容值都非常小。磁珠比普通的電感有更好的高頻濾波特性,在高頻時呈現(xiàn)阻性,所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗,從而提高調(diào)頻濾波效果。
磁珠的電路符號就是電感,但是型號上可以看出使用的是磁珠。在電路功能上,磁珠和電感是原理相同的,只是頻率特性不同而已。
 
 電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
從等效電路中可以看到,當(dāng)頻率低于 fL(LC 諧振頻率)時,磁珠呈現(xiàn)電感特性;當(dāng)頻率等于 fL 時,磁珠是一個純電阻,此時磁珠的阻抗(impedance)最大;當(dāng)頻率高于諧振頻率點 fL 時,磁珠則呈現(xiàn)電容特性。
 
EMI 選用磁珠的原則就是磁珠的阻抗在 EMI 噪聲頻率處最大。比如如果 EMI 噪聲的最大值在 200MHz,那你選擇的時候就要看磁珠的特性曲線,其阻抗的最大值應(yīng)該在 200MHz 左右。
 
下圖是一個磁珠的實際的特性曲線圖。 大家可以看到這個磁珠的峰值點出現(xiàn)在 1GHz 左右, 在峰點時,阻抗(Z)曲線的值與電阻(R)的相等。也就是說這個磁珠在 1GHz 時,是個純電阻,而且阻抗值最大。
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
Z: impedance R: R( f) X1: L\C
 
前面簡單介紹了 EMI 磁珠的基本特性曲線。
 
從磁珠的阻抗曲線來看,其實它的特性就是可以用來做高頻信號濾波器。需要注意的是,通常大家看到的廠家提供的磁珠阻抗曲線,都是在無偏置電流情況下測試得到的曲線。
但大部分磁珠通常被放在電源線線上用來濾除電源的 EMI 噪聲。在有偏置電流的情況下,磁珠的特性會發(fā)生一些變化。下面是某個 0805 尺寸 500mA 的磁珠在不同的偏置電流下的阻抗曲線。大家可以看到,隨著電流的增加,磁珠的峰值阻抗會變小,同時阻抗峰值點的頻率也會變高。
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
在進一步闡述磁珠的特性之前,讓我們先來看一下磁珠的主要特性指標的定義:
 
Z (阻抗, impedance ohm) :磁珠等下電路中所有元件的阻抗之和,它是頻率的函數(shù)。通常大家都用磁珠在 100MHz 時的阻抗值作為磁珠阻抗值。
 
DCR (ohm): 磁珠導(dǎo)體的的直流電阻。
 
額定電流:當(dāng)磁珠安裝于印刷線路板并加入恒定電流,自身溫升由室溫上升 40C 時的電流值。
 
那么 EMI 磁珠的磁珠有成千上萬種,阻抗曲線也各不相同,我們應(yīng)該如何根據(jù)我們的實際應(yīng)用選擇合適的磁珠呢?
 
讓我們首先來看一下阻抗值同為600ohm@100MHz,但尺寸大小不同的磁珠在不同偏置電流電流和工作頻率下的特性。
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
上面是四個不同大小的磁珠分別工作在 0A,100mA 偏置電流及在 100MHz,500MHz 和 1GHz 工作頻率下的阻抗值。
 
從上表的測試數(shù)據(jù)中可以看出, 1206 尺寸的磁珠在低頻 100MHz 工作時,其阻抗值僅從 0A 下的600ohm 減小到 100mA 偏置電流下的 550ohm,而 0402 尺寸的磁珠阻抗值卻從 0A 下的 600ohm 大幅減小為 175ohm。
 
由此看來,在低頻大偏置電流應(yīng)用的情況下,應(yīng)該選擇大尺寸的磁珠,其阻抗特性會更好一些。讓我們來看一下磁珠在高頻工作時的情形。 1206 尺寸的磁珠其 1GHz 下的阻抗從 100MHz 下的600ohm 大幅減小為 105ohm,而 0402 尺寸的磁珠其 1GHz 下的阻抗則只由 100MHz 下的 600ohm 小幅減小為 399ohm。
 
這也就是說,在低頻大偏置電流的情況下,我們應(yīng)該選擇較大尺寸的磁珠,而在高頻應(yīng)用中,我們應(yīng)該盡量選擇小尺寸的磁珠。
 
應(yīng)用于信號線上的磁珠
 
讓我們再來看一下下面兩個不同曲線特征的磁珠 A 和磁珠 B 應(yīng)用于信號線時的情況。
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
磁珠 A 和磁珠 B 的阻抗峰值都在 100MHz 和 200MHz 之間,但磁珠 A 阻抗頻率曲線比較平坦,磁珠B 則比較陡峭。
我們將兩個磁珠分別放在如下的 20MHz 的信號線上,看看對信號輸出會產(chǎn)生什么樣的影響。
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
下面是用示波器分別量測磁珠輸出端的波形圖
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
從輸出波形來看,磁珠 B 的輸出波形失真要明顯小于磁珠 A。
 
原因是磁珠 B 的阻抗頻率波形比較陡峭,其阻抗在 200MHz 時較高,只對 200MHz 附近的信號的衰減較大,但對頻譜很寬的方波波形影響較小。而磁珠 A 的阻抗頻率特性比較平坦,其對信號的衰減頻譜也比較寬,因此對方波的波形影響也較大。
 
下面是上述三種情況對應(yīng)的 EMI 測試結(jié)果。結(jié)果是磁珠 A 和磁珠 B 都會對 EMI 噪聲產(chǎn)生很大的衰減。磁珠 A 在整個 EMI 頻譜范圍內(nèi)的衰減要稍好于磁珠 B。
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
因此,在具體選用磁珠時,阻抗頻率特性平坦型的磁珠 A 比較適合應(yīng)用于電源線,而頻率特性比較陡峭的磁珠 B 則較適合應(yīng)用于信號線。磁珠 B 在應(yīng)用于信號線時,可以在盡量保持信號完整性的情況下,盡可能只對 EMI 頻率附近的噪聲產(chǎn)生最大的衰減。
 
磁珠與電容回路
 
在一些器件的數(shù)據(jù)手冊或者應(yīng)用文檔中,一般會建議對一些要求較高的電源管腳(比如VCCA,VCCPLL之類的)做隔離處理,并推薦使用磁珠進行隔離。一般建議將電容放在更加靠近器件電源管腳的地方(相對于磁珠的位置),如下圖所示。至于電容的容值,和該電源管腳的功率(電壓&電流),電容距離管腳的位置,電容的封裝大小等因素有關(guān)系。
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
對于電容的Layout也有一些講究,安裝電容時,要從焊盤拉出一下段引線通過過孔和電源平面連接,接地段也一樣。則電容的電流回路是:電源平面→過孔→引出線→焊盤→電容→焊盤→引出線→過孔→低平面。如下圖所示:
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
放置過孔的基本原則就是讓這一環(huán)路面積最小,減小寄生電感。下圖顯示幾種安裝方法:
 
電源完整性分析——謹慎使用磁珠
 
※第一種方法從焊盤引出很長的線然后連接到過孔,這會引入很大的寄生電感,一定要避免這樣做。
 
※第二種方法在焊盤二端打過孔,比第一種方法路面積小的多,寄生電感也較小,可以接受。
 
※第三種方法在焊盤側(cè)面打孔,進一步減小了環(huán)路面積,寄生電感比第一個更小,是比較好的方法。
 
※第四種方法焊盤二側(cè)面打孔,和第三種方法相比,電容的每端都是通過并聯(lián)的過孔接入電源和地平面,比第三種的寄生電感還小,只要空間允許,盡量使用。
 
※最后一種方法在焊盤上直接打孔,寄生電感最小,但是焊接可能會出現(xiàn)問題。
 
“濫用”磁珠的危害
 
典型的8層以上單板,或者6層板采用3個電源地平面,電源地相對緊耦合的設(shè)計,這時候板上的濾波電容呈現(xiàn)“全局特性”,也就是說電容的位置不是很“重要”,電容在全局起作用。雙面板四層板,以及6層板電源地距離比較遠,相對松耦合的時候,板上的濾波電容傾向于“局部特性”,電容的位置比較重要,最好能靠近芯片管腳放置。
 
當(dāng)電源供電網(wǎng)絡(luò)不使用電源地平面來設(shè)計的時候,電容更傾向于“局部特性”。如PLL電源的電容,如DDR3設(shè)計中Vref電源的電容,都希望嚴格把相應(yīng)的電容靠近芯片的管腳,甚至最好能做到設(shè)計時指定電源必須從濾波電容進入芯片管腳。
 
同樣的,對于常規(guī)數(shù)字電源,如3.3V,2.5V等IO電源,如果我們對每一個芯片都使用磁珠隔離之后單獨供電,那么電容就失去了“全局”作用。最直接的一個負面作用就是導(dǎo)致設(shè)計需要增加更多的濾波電容。或者某個芯片的電容數(shù)量與種類不夠,導(dǎo)致電源軌道噪聲變大。
 
就算是電容的數(shù)量不是問題,電源噪聲可控,“濫用”磁珠還會造成其他設(shè)計問題。電源種類多是設(shè)計的現(xiàn)狀, “濫用”磁珠會“雪上加霜”的讓電源種類更多。加大電源地平面設(shè)計的難度。而增加的磁珠,其實并沒有給電源噪聲帶來好處。
 
總結(jié)
 
常規(guī)的數(shù)字電源,在采用多層板設(shè)計,電源地平面緊耦合的情況下,不建議“濫用”磁珠,保持電容的“全局”特性起作用。
 
需要使用磁珠的場合大致分為兩種
1、“特別”保護自己,如PLL電源,F(xiàn)PGA中的SerDes模擬電源等
2、“關(guān)愛”他人,自身的干擾性比較強,避免EMI問題,如強驅(qū)動的時鐘芯片等
 
主要參考文獻
1、網(wǎng)友aiyuanwuyin的博客,https://blog.csdn.net/taiyuanwuyin/article/details/78803110
2、電源完整性設(shè)計:
3、磁珠選型與應(yīng)用知識:
4、EMC磁珠到底是什么 H?具體如何選型?:
(轉(zhuǎn)載自:貿(mào)澤工程師社區(qū) 來源:電子技術(shù)應(yīng)用ChinaAET,作者: Felix)
 

免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。
 
 
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