此文章出自該貼： 【每周一問第三期】為什么以下三種方法可以降低電源的輻射干擾？
請聽題：
一款電源的輻射干擾超標20db，采用下述方法處理后，完全達標。
（1）在所有的整流二極管的一端串聯一小磁珠；
（2）在開關管的控制極串聯一電阻，并在控制極并一50p的電容到地；
（3）在所有的整流二極管兩端并聯一個470p電容。
問答：
1、為什么在所有的整流二極管的一端串聯一小磁珠可以降低輻射干擾？
2、為什么在開關管的控制極串聯一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，可以降低輻射干擾？
3、為什么在所有的整流二極管兩端并聯一個470p電容，可以降低輻射干擾？
讓我們來看看大家是怎么回答的吧！首先給大家看看mic29的答案：
1、為什么在所有的整流二極管的一端串聯一小磁珠可以降低輻射干擾？
我認為串磁珠無法降低di/dt，但可以吸收高頻諧波的輻射能量，因而降低EMI，這個與串可飽和電感來直接降低di/dt屬于不同的抑制原理，可飽和電感是直接抑制二極管TRR的對策，也就是直接抑制di/dt，但成本相較于磁珠則相當高，應該在百倍以上。
2、為什么在開關管的控制極串聯一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，可以降低輻射干擾？
從兩個方面解釋：第一是將之視為RC濾波，可抑制IC送給MOS的控制信號中的高頻諧波電流，讓高頻諧波電流以更短路徑、更小回路面積回到IC。
其次，加電阻后路徑阻抗變大，依t=RC來看，miller電容充放電的時間都變長，也就是MOS on/off時產生的di/dt與dv/dt都下降，EMI也就變好了。
3、為什么在所有的整流二極管兩端并聯一個470p電容，可以降低輻射干擾？
以直觀來看，C8可減緩D6的端電壓變化，也就是降低dv/dt，也就降低二極管N極經雜散電容產生的共模電流（i=C*dv/dt），EMI自然變好。
再來看看化二為一是怎么回答的：
1、為什么在整流二極管的一端串聯一小磁珠可以降低輻射干擾？
應該是次級整流二極管的一端串聯小磁珠，本人尚未在初級整流電路中有人串聯磁環（主要指AC220V/DC電源模塊）
A）次級整流二極管串聯磁珠：小磁珠可以吸收次級整流二極管產生的高頻的di/dt干擾，同時增加整流二極管側電容的濾波效果（由于濾波電容存在等效串聯電容ESL削弱了電容本身的旁路或高頻濾波作用，會在開關電源輸出端出現頻率高的尖峰干擾）。
B）初級整流二極管串聯磁珠：開關電源工作時，開關管高頻通斷，經由變頻變壓壓器的初級線圈、開關管和輸入濾波電容形成了一個高頻電流環路。這個環路的存在，就可能對空間形成電磁輻射。輻射的騷擾強度與IAf*F的乘積成正比，其中，I是高頻電流環路的電流強度；A是環路包圍的面積；f是電流頻率。在初級串聯磁珠，主要是衰減或吸收開關管高頻的諧波。
2、為什么在開關管的控制極串聯一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，可以降低輻射干擾？
開關管的開/關過程（開關頻率調制一般在100KHZ左右），將產生很大的di/dt、du/dt，在控制極并聯“電容+電阻”，能夠降低其開關管的上升/下降沿，即減小開關管的高頻諧波（該諧波很容易引起EMI問題），并減小尖峰電壓的幅度。
3、為什么在所有的整流二極管兩端并聯一個470p電容，可以降低輻射干擾？
應該是在次級整流二極管兩端并聯“470pf電容+電阻”，主要原因是——整流二極管在關斷時，存在反向恢復電流，容易與電路的寄生電感等形成高頻振蕩，串聯了小磁珠，就是衰減或吸收這種干擾。次級整流回路中的二極管在正向導通時PN結被充電；在加反向電壓時（截止），積累的電荷將被拋散，并因此產生反向電流，這個過程非常短暫。所在在分布電感（如變壓器的漏感等）和分布電容（如二極管的結電容等）存在的回路里，實際上構成了一個高頻的諧振電路，當二極管截止瞬間的電流變化非常劇烈時，在整個次級整流回路中會產生高頻衰減振蕩，形成對外界的差模輻射。
除了以上兩位答題比較詳細以外，以下網友也給大家做了合理的解釋，也可供大家參考一下。
terrysun的答案：
1.串聯磁珠，吸收高頻信號，避免高頻信號返回到電力線；
2.降低開關管開關速度，減少高頻振蕩，但開關管可能會發熱比以前大；
3.避免二極管反向回復引起的輻射；
dwdsp的答案：
1、小磁珠可以緩沖尖峰波
2、一般控制極電流較小而敏感，串聯電阻并電容到地可以組成簡單的阻容濾波電路的。
3、整流二極管開關的過程會產生瞬變，導致電壓電流突變，并電容可以吸收多余的電荷。
那么你呢？對以上問題你還有其他的答案，或者是你贊成以上網友的一些看法嗎，如果你能夠在該貼中作答，跟這些網友分享交流，相信你會對此記憶更深刻，進步更快，你說對嗎？
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