產品特性：
- 采用溝槽拓撲結構
- 提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流
應用范圍：
- 筆記本適配器或平板顯示器的開關電源，DC-DC轉換器等
應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。
新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓撲結構，提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設計工程師符合高能效標準規(guī)范要求，不會增加復雜度，例如無須同步整流。
此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區(qū)，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生“夾斷”(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度范圍內都很優(yōu)異。
為了證明LVFR的優(yōu)勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較?；?5 W電源適配器測試的數據顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規(guī)范要求，同時不增加方案的復雜度及成本，例如無須同步整流。
安森美半導體功率分立分部高級總監(jiān)兼總經理John Trice說：“我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度范圍內提供優(yōu)異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規(guī)格。”
安森美半導體新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示：
