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未來(lái)電源發(fā)展的架構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2009-07-09

中心議題:
  • 集中式、分布式、中專母線等電源架構(gòu)的特點(diǎn)
  • 電源分比式功率架構(gòu)發(fā)展趨勢(shì)和特點(diǎn)
解決方案:
  • 在分比式架構(gòu)穩(wěn)壓功能由PRM提供可遠(yuǎn)離負(fù)載
  • 分比母線無(wú)須受負(fù)載電壓限制
  • 可以用不同的方法來(lái)控制VTM的輸出電壓
近年電子及數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展及分布式供電系統(tǒng)的推廣,DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用越來(lái)越廣,新的微處理器、記憶體、DSP及ASIC都趨向要求低電壓、大電流供電。面對(duì)新世代的電子器件和負(fù)載,電源業(yè)要面對(duì)重大的挑戰(zhàn),產(chǎn)品除了能在低電壓輸出大電流外,還要做到體積小、重量輕、動(dòng)態(tài)反應(yīng)快,噪聲小和價(jià)錢相宜。這些需求促使業(yè)界重新審視現(xiàn)有技術(shù)和架構(gòu)。

電源架構(gòu)的發(fā)展(CPA)
  
集中式電源,這是最基本的電源結(jié)構(gòu),簡(jiǎn)單、成本輕。它把從前端到DC-DC轉(zhuǎn)換的功能集中在一個(gè)框架,減少占用負(fù)載點(diǎn)的電路板空間,避免串接作多次功率轉(zhuǎn)換,效率較佳,也相對(duì)能容易處理散熱及EMI問(wèn)題。設(shè)計(jì)師也需要在I2R功耗與EMI兩方面平衡考慮,決定電源與負(fù)載的距離。雖然集中式電源在很多應(yīng)用上運(yùn)作良好,但對(duì)要求低電壓、多個(gè)負(fù)載點(diǎn)的應(yīng)用,不是很適合。
  
分布式架構(gòu)(DPA)
  
自80年代,電源模塊面世后,分布式架構(gòu)被廣泛采用,成為最常用的架構(gòu)。(磚式的電源模塊齊備了DC-DC轉(zhuǎn)換器的三項(xiàng)基本功能:隔離、變壓和穩(wěn)壓,工程師可以把電源模塊置在系統(tǒng)電路板上,靠近負(fù)載供電。分布式架構(gòu)是由較粗糙的DC母線(一般為48V或300V)供電,再由放置在系統(tǒng)電路板旁的DC-DC轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成合適的電壓為負(fù)載供電。這種布局可以改善系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)反應(yīng),避免整個(gè)系統(tǒng)在低電壓操作所產(chǎn)生的問(wèn)題。
  
分布式電源的成本一般較高,尤其是在負(fù)載數(shù)目多的情形下,需要占用較大的電路板空間。而且在每一個(gè)負(fù)載點(diǎn)都重復(fù)包括隔離、變壓、穩(wěn)壓、EMI濾波和輸入保護(hù)等功能,模塊的成本自然增大。
  
中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)(IBA)
  
中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)(圖1)彌補(bǔ)了分布式電源架構(gòu)的缺點(diǎn)。它把DC-DC轉(zhuǎn)換器的隔離、變壓及穩(wěn)壓功能分配到兩個(gè)器件。IBC(中轉(zhuǎn)母線轉(zhuǎn)換器)具變壓及隔離功能。niPoL(非隔離負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器)則提供穩(wěn)壓功能。IBC把半穩(wěn)壓的分布母線轉(zhuǎn)為不穩(wěn)壓及隔離的中轉(zhuǎn)母線電壓(一般是12V),供電給一連串的niPoL。niPoL靠近負(fù)載,提供變壓及穩(wěn)壓功能。

IBA的理念是把母線電壓降至一個(gè)稍稍高于負(fù)載點(diǎn)的電壓,再由較便宜的降壓器(niPoL)來(lái)完成余下的工作。降壓器(niPoL)經(jīng)由電感器傳輸電壓到負(fù)載,這電壓相等于上開關(guān)和下開關(guān)共同端電壓的平均值,等如上開關(guān)電壓占空比與中轉(zhuǎn)母線的乘積。
            
中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)的問(wèn)題是令I(lǐng)BC和niPoL均能有效操作的條件是互相沖突的。圖2比較了多個(gè)把48V分布母線轉(zhuǎn)為1V用的方法,各分布母線的寬度代表了所帶的電流。
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第一個(gè)例子顯示由48V直接用niPoL轉(zhuǎn)為1V,雖然電流和功耗都很少,但niPoL的占空比只有2%。占空比太低,會(huì)引發(fā)高峰值電流,輸入輸出紋波太大,瞬態(tài)反應(yīng)慢,噪聲高及功率密度低等問(wèn)題。
  
第二個(gè)例子,以IBC轉(zhuǎn)換48V母線至12V中轉(zhuǎn)電壓,niPoL的占空比是8%,改進(jìn)不大。而IBC所帶的電流比第一個(gè)例子高四倍。避免分布損耗,母線的截面面積需增大16倍,或縮短IBC與niPoL的距離。
 
 
余下兩個(gè)例子顯示利用IBC轉(zhuǎn)換48V至3V或2V。電壓越低,占空比越高。但中轉(zhuǎn)母線電流亦越大,分布損耗更多。由于母線電流高,在這兩個(gè)例子中,IBC與niPoL要靠得很近。在2V的例子,niPOL的占空比是50%,很好,但此時(shí)IBC要跟著niPOL的尾巴走,彼此靠近得如同整體是一個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換器,說(shuō)明將DC-DC轉(zhuǎn)換器分開兩個(gè)器件的甩的在IBA是達(dá)不到的,重復(fù)分布式架構(gòu)的困局,不能發(fā)揮IBA的優(yōu)點(diǎn)。
                 
IBA的另一個(gè)問(wèn)題是niPOL的瞬變反應(yīng)。niPOL能否快速地按負(fù)載變化加大或減少電流呢?它的根本難處是它把電感器放錯(cuò)了位置。
  
電感器內(nèi)的電流變化率由加于電感器上的電壓決定。在低電壓應(yīng)用時(shí),當(dāng)負(fù)載處于大電流狀態(tài),它的電流變化率受輸出電壓所限。當(dāng)輸出電壓越低,電流變化率越小,需要更長(zhǎng)的時(shí)間減低電流,即越難停止電感的慣性電流,復(fù)原的時(shí)間亦更長(zhǎng),需要在輸出加上大電容。
  
在niPOL前放置的大電容,雖負(fù)責(zé)濾波及維持低阻抗,但對(duì)負(fù)載旁路效果不大。由于電感的位置不當(dāng),產(chǎn)生電流慣性,因此需要在輸出加上大電容以保持穩(wěn)定。
  
總的來(lái)說(shuō),IBA架構(gòu)內(nèi)存在固有的互相抵觸的效應(yīng),它的根本原因可追索到基本的奧姆定律,只能在某些范圍內(nèi)折沖使用。但對(duì)另一些應(yīng)用,以上提到的缺點(diǎn)便浮現(xiàn)出來(lái)了。
  
分比式功率架構(gòu)(FPATM)
  
分比式功率架構(gòu)把DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能重新編排;并以晶片封裝的元件來(lái)實(shí)現(xiàn)。它的主要元件是預(yù)穩(wěn)壓模塊(PRM)和電壓轉(zhuǎn)變模塊(VTM)。PRM只有穩(wěn)壓功能,VTM具變壓和隔離功能,PRM和VTM合起來(lái),就能實(shí)現(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能。

PRM可接受寬廣的輸入電壓及把它轉(zhuǎn)換為一個(gè)穩(wěn)壓的分比母線(Vf)傳送到VTM。VTM作為負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器,把分比母線升壓或降壓,提供隔離電壓給負(fù)載。負(fù)載變化由反饋電路傳到PRM,由PRM調(diào)控分比電壓,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。
                          
跟分布式架構(gòu)或中轉(zhuǎn)母線架構(gòu)不一樣,在分比式架構(gòu),穩(wěn)壓功能由PRM提供,可遠(yuǎn)離負(fù)載。VTM作為負(fù)載點(diǎn)的轉(zhuǎn)換器,它不需要提供穩(wěn)壓的功能,?可以無(wú)須靠近負(fù)載。它只負(fù)責(zé)按K比值“倍大電流”或“降低電壓”(VOUT=VfK),VTM可在整個(gè)轉(zhuǎn)換周期傳送電流,它的占空比是百份之一百。FPA以分比母線傳輸功率,可以較隨意的選擇電壓,無(wú)須如前所述的IBA架構(gòu),因固有的沖突,中轉(zhuǎn)電壓只能選定在稍高于負(fù)載的電壓,否則它的占空比將無(wú)法管理。

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由于VTM負(fù)責(zé)在負(fù)載點(diǎn)變壓,它的K比值最高可達(dá)到200,分比母線因此無(wú)須受負(fù)載電壓限制,可設(shè)定在任何一點(diǎn)上,甚至可把分比母線設(shè)定跟電源電壓相同。如圖5,負(fù)載電壓是1V,分比母線可設(shè)定為48V,完全不受負(fù)載電壓或PRM與VTM的距離影響,不需在輸送損耗與轉(zhuǎn)換損耗中折沖取舍。重點(diǎn)是FPA把變壓的部份放在負(fù)載點(diǎn),克服了IBA面對(duì)的難題,占空比可達(dá)100%。
                 
FPA的瞬變反應(yīng)較IBA理想。如前述,IBA把電感器放在中轉(zhuǎn)母線與負(fù)載之間,產(chǎn)生電流慣性。在FPA分比母線與負(fù)載之間沒有電感器(圖6),由于VTM不受電感慣性左右,可快速的反應(yīng)負(fù)載變化。在分比母線的電容由于沒有電感的阻隔,可對(duì)負(fù)載有效旁路,該電容相等于在負(fù)載加上1/K2倍電容值,這便無(wú)須在負(fù)載點(diǎn)加上大電容。圖7清楚表示在FPA只需用上4uF的電容便可以取代IBA中的10000uF電容。
                                 
                           
                       
FPA的控制架構(gòu)
  
PRM內(nèi)的控制系統(tǒng)和輔助ASICs令PRM可以用不同的方法來(lái)控制VTM的輸出電壓。
  
本地閉環(huán)(圖8)是最簡(jiǎn)單的方法。PRM感應(yīng)它自己的輸出電壓,再調(diào)整及維持分比母線電壓在一個(gè)常數(shù)。負(fù)載電壓按VTM的輸出阻抗的比例升降(VfK-IoutRout)。一個(gè)PRM可同時(shí)連接多個(gè)VTM。
                   
自適應(yīng)閉環(huán)(圖9)。由VTM把訊號(hào)傳送給PRM,讓PRM調(diào)整分比母線。以補(bǔ)償VTM的輸出阻抗。自適應(yīng)閉環(huán)只需要在VTM與PRM之間接上簡(jiǎn)單、非隔離的反饋電路,它的穩(wěn)壓精度便可達(dá)+/-1%。
             
遙感閉環(huán)(圖10)把負(fù)載電壓反饋到PRM。這方法的穩(wěn)壓精度最高可達(dá)+/-0.2%,但可能需要隔離反饋環(huán)路。PRM可連接多只VTM,其中一個(gè)VTM提供反饋訊號(hào)。
                
分比式功率架構(gòu),未來(lái)的電源架構(gòu)
  
盡管IBA對(duì)于低電壓應(yīng)用,它仍然是有效及成本低的方案,但由于IBA有其固有的局限,在結(jié)構(gòu)上互相沖突,它需要妥協(xié)折沖傳輸損耗與轉(zhuǎn)換損耗,及犧牲瞬變反應(yīng)。
  
反觀FPA及VI晶片,沒有了這些局限。VI晶片是非常靈活、高效的元件,它可以用在集中式、分布式和中轉(zhuǎn)母線架構(gòu),工程師可即時(shí)提升系統(tǒng)的表現(xiàn),大大縮小系統(tǒng)空間,改善瞬變、散熱噪聲等的問(wèn)題。FPA及VI晶片,將是未來(lái)電源架構(gòu)及元件的典范。
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