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TJ3-HT：Vishay新型環形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環形高電流、高溫電感器。該器件具有業內最高額定及飽和電流以及業內最低電感和DCR。
2008-05-16
TJ3-HT 高溫電感器
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器
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MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開關
Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開關MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個連接器實現高性能的切換。
2008-05-15
MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開關
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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產品在三個主要方面提高性能：在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產品在三個主要方面提高性能：在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮流器等節能型電路內，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。
2008-05-13
STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重復性和穩定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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