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鉭電容技術全景解析：從納米級介質到AI服務器供電革命
鉭電容以五氧化二鉭（Ta?O?）介質層為核心，通過高純度鉭粉燒結形成多孔陽極基體，經電化學氧化生成僅0.5-1nm的絕緣介質層，再覆蓋二氧化錳或聚合物陰極構成電荷存儲體系16。其介電常數達27，遠超鋁電解電容的8-10，賦予其超高容量密度（200μF/mm3）、低ESR（最低0.05Ω）及寬溫穩定性（-55℃~125℃容...
2025-07-04
鉭電容 選型指南 鉭電容與MLCC區別 聚合物鉭電容 車規級鉭電容 國產鉭電容品牌 高密度電路電容設計
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功率電感器核心技術解析：原理、選型策略與全球品牌競爭力圖譜
功率電感器作為電力電子系統的核心無源元件，通過導體繞制磁芯構成閉合回路，在電流通過時儲存磁能并抑制電流突變。其基礎原理遵循法拉第電磁感應定律：當電流變化時，磁通量的改變將產生自感電動勢，阻礙電流變化，從而平滑輸出電流、濾除高頻噪聲并提升系統效率16。在現代電子設備中，功率電感器...
2025-07-04
功率電感器 磁芯材料 DC-DC轉換器
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溫漂±5ppm的硬核科技：車規薄膜電阻在衛星與6G中的關鍵作用
隨著汽車雷達向79GHz演進、低軌衛星互聯網加速部署、6G微基站啟動原型驗證，車規薄膜電阻正突破傳統應用邊界，成為高頻高可靠電子系統的隱形守護者。
2025-07-03
車規薄膜電阻 AEC-Q200認證 毫米波雷達信號鏈 低軌衛星載荷 6G微基站 高精度電阻 抗干擾電阻
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重磅公告！意法半導體2025年Q2業績發布及電話會議時間確定
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財務數據。
2025-07-02
意法半導體 財報 電話會議時間
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超級電容技術全景解析：從物理原理到選型實踐，解鎖高功率儲能新紀元
超級電容器（又稱雙電層電容器，EDLC）是一種通過電極與電解液界面形成的雙電層效應存儲電能的新型儲能器件。與傳統電容器不同，超級電容利用多孔碳電極表面形成的納米級雙電層結構（ Helmholtz層），在電極/電解液界面實現電荷分離存儲能量。這種物理儲能機制使其無需化學反應即可實現能量的快速存...
2025-07-02
超級電容 雙電層電容器
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MHz級電流測量突破：分流電阻電感補償技術解密
在第三代半導體（SiC/GaN）驅動的ns級開關場景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態下產生＞38%電壓過沖，導致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數據），嚴重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±...
2025-07-01
分流電阻 寄生電感補償 高頻電流測量技術 VNA頻響 RC濾波器設計 功率器件 電流檢測 開關電源
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告別電壓應力難題：有源鉗位助力PSFB效率突破
相移全橋（PSFB）轉換器因其能在初級側開關管上實現軟開關（降低開關損耗），成為高功率應用（如服務器電源、工業電源、通信電源）的主流拓撲。然而，傳統的PSFB存在一個顯著痛點：變壓器漏感（Lr）與輸出整流器（特別是同步整流管MOSFET）的寄生電容（Coss）諧振，會導致次級側產生嚴重的電壓振鈴...
2025-07-01
PSFB有源鉗位設計 整流器電壓應力優化 高功率轉換器效率 同步整流MOSFET選型 無損緩沖技術 相移全橋控制策略
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9.9元搶500元超值觀展禮包！深圳智能工業展早鳥福利限時開搶
“WAIE2025(第六屆)全球數字經濟產業大會暨智能工業展(簡稱:WAIE全數會智能工業展)”將于2025年7月30至8月1日在深圳福田會展中心舉行。作為全球數字經濟產業具有規模、專業性、影響性和代表性的行業盛會，本屆展會由OFweek維科網主辦，以“聚焦數字經濟 賦能智能工業發展”為主題，為全球智能工業數字化...
2025-06-30
WAIE2025智能工業展 深圳數字經濟大會 工業芯片展覽 機器人智能制造峰會 9.9元觀展禮包 深圳福田會展中心
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攻克28G PAM4抖動難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時鐘架構
在400G/800G光模塊的56Gbaud PAM4調制系統中，時鐘抖動每增加0.1ps RMS，誤碼率將飆升300%。傳統單端CMOS時鐘源因共模噪聲干擾，難以滿足高速SerDes對相位穩定性的嚴苛需求。差分輸出VCXO（壓控晶體振蕩器）通過對稱差分信號（LVDS/HCSL） 實現共模噪聲抑制，結合±50ppm頻率微調能力，將相位抖動壓...
2025-06-27
差分輸出VCXO 低抖動時鐘源 光通信時鐘同步 相位噪聲優化 SerDes時鐘解決方案 LVDS振蕩器
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