【導讀】第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將于2023年4月7-9日登陸深圳會展中心（福田），以“創新引領 協同發展”為主題，在80000平方米展示面積打造全產業鏈科技應用場景，硬科技同臺“飆技”，掀起一場信息產業的新浪潮！屆時，上海功成半導體科技有限公司將在1號館1C033展位亮相。
第十一屆中國電子信息博覽會（CITE 2023）將于2023年4月7-9日登陸深圳會展中心（福田），以“創新引領 協同發展”為主題，在80000平方米展示面積打造全產業鏈科技應用場景，硬科技同臺“飆技”，掀起一場信息產業的新浪潮！屆時，上海功成半導體科技有限公司將在1號館1C033展位亮相。
上海功成半導體科技有限公司（CoolSemi）成立于2018年5月，總部位于上海，在無錫、深圳、成都等地設立分公司。功成半導體以市場需求為導向，技術創新驅動，致力于半導體功率器件的研發與產業化，為客戶提供高效可靠的產品。主要從事低壓屏蔽柵SGT、高壓超結SJ、溝槽柵場截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊IPM、功率IC的設計和研發。
展品1
展品名稱：SJ MOSFET
展品類別：功率器件
展品特點：SJ MOSFET（Super Junction MOSFET）超結功率器件采用N型和P型周期排列結型耐壓層，突破了傳統硅基MOS器件的理論極限，相對于傳統平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方關系，SJ MOSFET的導通電阻與擊穿電壓達到近似線性的關系。因此SJ MOSFET的導通電阻RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到明顯降低，成為高壓開關轉換器領域的高效率典型功率器件。
CoolSemi的高壓SJ MOSFET，在全球領先的華虹宏力Deep-Trench工藝平臺上，采用專利器件結構及特色工藝，開發出了覆蓋500V~1000V電壓平臺和14mΩ~4000mΩ導通電阻的G1、G2、G3、G4、G5系列產品。憑借針對開關速度、反向恢復時間、開關損耗、EMI兼容性、高可靠性的獨特優化設計，產品不僅在充電樁、工業電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機等工業和車載產品上大量使用，也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費領域廣泛應用。
典型應用產品：充電樁、工業電源、5G通訊、光伏、新能源車載充電機等工業和車載產品上大量使用，也在TV電源、適配器、PD快充、LED照明、顯示器等消費領域
展品2
展品名稱：IGBT
展品類別：功率器件
展品特點：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極晶體管，是在普通VDMOS基礎上，晶圓背面增加了P+注入，利用電導調制效應在漂移區增加載流子數量，從而大幅度降低器件的導通電阻和芯片面積。IGBT器件電流密度高且功耗低，能夠顯著提高能效、降低散熱需求，適用于高電壓、大電流等大功率場景。
Coolsemi的IGBT采用目前業內最新的trench FS工藝，依托于國內成熟且工藝領先的8寸/12寸晶圓生產線，擁有更低的導通壓降和開關損耗，以及更強的可靠性。目前功成IGBT產品根據應用場景的不同，擁有F、S、D、L等系列，覆蓋了600V~1200V以及5A~100A的功率范圍，廣泛應用于通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應加熱設備、大型家電、電焊接、開關電源以及汽車電子等領域。
典型應用產品：通用逆變器、光伏逆變器、UPS、感應加熱設備、大型家電、電焊接、開關電源以及汽車電子等領域。
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