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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求，同時(shí)可為工業(yè)、電信及消費(fèi)電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時(shí)還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應(yīng)管
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STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時(shí)還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過18%的降幅。
2008-05-06
STW55NM60ND MOSFET 場效應(yīng)管
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B827*系列：EPCOS大電流電磁兼容性電源線扼流圈
借助專為大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)的型號，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)已擴(kuò)展其范圍。其雙重電源線扼流圈目前的電流能力可達(dá)54 A，新款B82725S*和B82726S*系列的電感值范圍介于0.2至100 mH之間。B8274*系列的三重扼流圈目前擁有高達(dá)62 A的電流能力
2008-05-01
B82725S* B82726S* B8274* 扼流圈
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B827*系列：EPCOS大電流電磁兼容性電源線扼流圈
借助專為大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)的型號，愛普科斯(EPCOS) 現(xiàn)已擴(kuò)展其范圍。其雙重電源線扼流圈目前的電流能力可達(dá)54 A，新款B82725S*和B82726S*系列的電感值范圍介于0.2至100 mH之間。B8274*系列的三重扼流圈目前擁有高達(dá)62 A的電流能力
2008-05-01
B82725S* B82726S* B8274* 扼流圈
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TSFF5510：Vishay寬視角新型高功率高速紅外發(fā)射器
Vishay推出其首款寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴(kuò)大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨(dú)特設(shè)計(jì)的鏡頭，TSFF5510具有 ±38o 視角，與標(biāo)準(zhǔn)的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。
2008-04-30
TSFF5510 紅外發(fā)射器
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Vishay的電點(diǎn)火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點(diǎn)火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎。
2008-04-24
EPIC 電點(diǎn)火器芯片電阻器
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APDS-9300：安華高科技新小型化數(shù)字環(huán)境亮度傳感器
Avago宣布，面向消費(fèi)類、工業(yè)和汽車應(yīng)用推出能夠在廣泛照明條件下提供精確照明度測量的新小型化可編程數(shù)字環(huán)境亮度傳感器產(chǎn)品。Avago的APDS-9300低電壓環(huán)境亮度傳感器在設(shè)計(jì)上緊密貼近人眼的光譜響應(yīng)曲線，并集成數(shù)字式I2C接口來簡化導(dǎo)入到設(shè)計(jì)的程序。
2008-04-18
APDS-9300 環(huán)境亮度傳感器
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VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前，Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實(shí)現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
VEMT3700 VEMT3700F VEMT4700 光電晶體管
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
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