欧美日韩亚州综合,国产一区二区三区影视,欧美三级三级三级爽爽爽,久久中文字幕av一区二区不卡

你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

占位面積僅2mmx2mm,TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET

發布時間:2013-09-09 責任編輯:xueqi

【導讀】Vishay新款超小外形尺寸TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻,器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝,致力于便攜式電子產品節省空間及提高效率。
 
Vishay宣布,擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的,占位面積只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
 
圖片1:Vishay新超小型TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET
對于電源管理中的負載和電池開關,以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、硬盤驅動器和固態驅動的同步降壓轉換應用里的控制開關,-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5m?(-4.5V),-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外,SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A,承受很大的涌入電流,可用于負載開關。
器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現更低的壓降,更有效地使用電能,并延長電池壽命,同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用,MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉換電路或“自舉”器件,簡化了柵極驅動的設計。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定,符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規格表:
 
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

主站蜘蛛池模板: 古蔺县| 合水县| 民勤县| 边坝县| 柳江县| 香河县| 峨山| 抚顺县| 赤水市| 淮北市| 双流县| 康平县| 枝江市| 岫岩| 尤溪县| 深圳市| 沛县| 太康县| 祁阳县| 封开县| 鹿邑县| 南和县| 通城县| 漳浦县| 莱阳市| 渑池县| 阿城市| 四会市| 临沂市| 张北县| 长寿区| 灵台县| 沂源县| 墨竹工卡县| 淮滨县| 浙江省| 昌宁县| 祁连县| 博湖县| 万源市| 修武县|