【導讀】富士通近日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM，適用于智能電表、工業(yè)設備和醫(yī)療器械。
兩款新型產(chǎn)品保證有10萬億次的讀寫次數(shù)，大約是現(xiàn)有芯片的10倍，適合用于智能電表、工業(yè)機械和醫(yī)療設備。與容量相同的EEPROM相比，寫入時可減少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系統(tǒng)存儲器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持數(shù)據(jù)的電池）所需的技術集成到單一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面積和功耗。這相應地極大地有助于開發(fā)小型和節(jié)能設備，使維修更加簡易，因此不再需要備用電池。
圖1：MB85RS1MT和MB85RS2MT
FRAM具有兩種特性：非易失性，即使關閉電源也能保存數(shù)據(jù)；隨機存取，可以快速寫入數(shù)據(jù)。即使發(fā)生突然電源故障和停電時，F(xiàn)RAM也可以安全存儲正在寫入的數(shù)據(jù)，所以可以在斷電前保證立刻保護芯片信息和存儲數(shù)據(jù)。憑借該能力，自從1999年量產(chǎn)后，富士通半導體的FRAM產(chǎn)品一直廣泛應用于工業(yè)自動化設備、測量設備、銀行終端以及醫(yī)療設備等。
對于包括智能電表和其它測量設備、工業(yè)機械以及醫(yī)療設備（如助聽器）－所有的這些設備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器－現(xiàn)在可以使用富士通半導體的新型FRAM產(chǎn)品取代傳統(tǒng)的EEPROM。在快速寫入方面的改善可以使性能更高，同時可使由于電壓突然下降或者停電引起的數(shù)據(jù)丟失風險降至最低。針對寫入時所消耗的電量，新產(chǎn)品比EEPROM少消耗92%的電量，可以延長電池壽命。
作為對其FRAM 產(chǎn)品陣容的更新，富士通半導體最近開發(fā)了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit)，這兩款產(chǎn)品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品讀寫次數(shù)提高到10萬億次，是富士通現(xiàn)行FRAM產(chǎn)品的10倍，因此可為實時連續(xù)數(shù)據(jù)記錄提供更好的支持。
圖 2：讀寫次數(shù)比較
圖 3：功耗比較
圖 4：占板面積比較
樣品發(fā)布日期
展望未來，富士通半導體將繼續(xù)提供解決方案，幫助客戶提高終端產(chǎn)品的性能，促進客戶現(xiàn)場設備的維護，并最大程度地降低風險。
