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四款用于極小口徑終端的砷化鎵放大器

發(fā)布時(shí)間:2012-12-21 責(zé)任編輯:sherryyu

【導(dǎo)讀】TriQuint推出四款新放大器,采用創(chuàng)新封裝來簡化組裝,它令制造商更易于通過將半導(dǎo)體FET或MMIC放大器放在均熱器上來處置晶粒級(jí)器件和組裝元件。是用于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無線電和極小口徑終端 (VSAT) 等商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。


技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司,推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊,提供高輸出功率、增益及效率,覆蓋頻率范圍為6-38 GHz。 其中每款新放大器的封裝都更方便進(jìn)行組裝,包括支持多層印刷電路板布局的設(shè)計(jì)。TriQuint新的放大器是用于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無線電和極小口徑終端 (VSAT) 等商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

這四款新放大器包括:TGA2502-GSG(3.6W [CW],13-16 GHz,適用于VSAT系統(tǒng));TGA2575-TS(3W [CW],32-38 GHz,適用于通信系統(tǒng));TGA2704-SM(7W [CW],9-11 GHz,適用于微波無線電)以及TGA2710-SM(7W [CW],9.5-12 GHz,亦適用于微波無線電)。

TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab產(chǎn)品系列的最新成員,它令制造商更易于通過將半導(dǎo)體FET或MMIC放大器放在均熱器上來處置晶粒級(jí)器件和組裝元件。 通過真空回流焊工藝建立晶粒和基礎(chǔ)之間的焊接。 這些焊接幾乎無空隙且熱穩(wěn)定性很高。 TGA2575-TS和所有die-on-tab產(chǎn)品都在工廠進(jìn)行嚴(yán)格檢驗(yàn),來提供全面質(zhì)量保證和更高的有效產(chǎn)率。

技術(shù)規(guī)格: 新封裝砷化鎵pHEMT解決方案,如下表:

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