【導(dǎo)讀】當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過(guò)多時(shí)，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。如果超出頻差范圍時(shí)，應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容，可以通過(guò)調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來(lái)解決。
原因分析：
在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振；
在壓封時(shí)，晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時(shí)，在酒精加壓的條件下，其表現(xiàn)為漏氣，稱之為雙漏，也會(huì)導(dǎo)致停振；
由于芯片本身的厚度很薄，當(dāng)激勵(lì)功率過(guò)大時(shí)，會(huì)使內(nèi)部石英芯片破損，導(dǎo)致停振；
有功負(fù)載會(huì)降低Q值（即品質(zhì)因素），從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象；
由于晶體在剪腳和焊錫的時(shí)候容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，而焊錫溫度過(guò)高和作用時(shí)間太長(zhǎng)都會(huì)影響到晶體，容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài)，以至出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象，甚至停振；
在焊錫時(shí)，當(dāng)錫絲透過(guò)線路板上小孔滲過(guò)，導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過(guò)程中，基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏，都會(huì)造成短路，從而引起停振；
當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過(guò)多時(shí)，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。
處理方法：
嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對(duì)石英晶體組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，及時(shí)處理不良品并分析原因；
壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮?dú)獗Ｗo(hù)中與外殼封裝起來(lái)，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉(cāng)、壓封倉(cāng)和出料倉(cāng)干凈，壓封倉(cāng)要連續(xù)沖氮?dú)猓⒃趬悍膺^(guò)程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮?dú)饬髁渴欠裾＃駝t及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無(wú)傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對(duì)稱不可歪斜。
由于石英晶體是被動(dòng)組件，它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的，因此，當(dāng)激勵(lì)功率過(guò)低時(shí)，晶體不易起振，過(guò)高時(shí)，便形成過(guò)激勵(lì)，使石英芯片破損，引起停振。所以，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外，有功負(fù)載會(huì)消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象，所以，外加有功負(fù)載時(shí)，應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。
控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量，引腳鍍層光亮均勻無(wú)麻面，無(wú)變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。
當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí)，應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容，可以通過(guò)調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來(lái)解決。
