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解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

發(fā)布時間:2010-08-02

機(jī)遇與挑戰(zhàn):
  • 后摩爾定律是摩爾定律的生命延續(xù)
  • 后摩爾定律與摩爾定律結(jié)合推動產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
市場數(shù)據(jù):
  • IC的集成度約每隔18個月翻一倍
  • 性能也將提升一倍

摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中,一直引領(lǐng)著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場、更高的經(jīng)濟(jì)效益前進(jìn)。然而,隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限,摩爾定律原導(dǎo)出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍,而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此,國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線圖中,即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結(jié)合的發(fā)展趨勢,并認(rèn)為“后摩爾定律”在應(yīng)用中的比重會越來越大。

后摩爾定律是摩爾定律的生命延續(xù)
ITRS組織針對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期(2007~2015年)和遠(yuǎn)期(2016~2022年)的挑戰(zhàn),在技術(shù)路線制定上,提出選擇兩種發(fā)展方式:一是,繼續(xù)沿著摩爾定律按比例縮小的方向前進(jìn),專注于硅基CMOS技術(shù);二是,按“后摩爾定律”的多重技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用向前發(fā)展,即在產(chǎn)品多功能化(功耗、帶寬等)需求下,將硅基CMOS和非硅基等技術(shù)相結(jié)合,以提供完整的解決方案來應(yīng)對和滿足層出不窮的新市場發(fā)展。其中,“后摩爾定律”技術(shù)被業(yè)界認(rèn)為,其在IC產(chǎn)品創(chuàng)新開發(fā)中的比重將越來越凸顯。

“后摩爾定律”的實(shí)質(zhì)是,它除了會延續(xù)摩爾定律對集成度、性能的追求外,還會利用更多的技術(shù),例如模擬/射頻、高壓功率電源、MEMS傳感器、生物芯片技術(shù)及系統(tǒng)級封裝(SiP)等三維(3D)集成技術(shù),以提供具有更高附加價值的系統(tǒng)。

“后摩爾定律”對半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展具有強(qiáng)大的推動力。它一方面使半導(dǎo)體技術(shù)從過去投入巨額資金追隨工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),轉(zhuǎn)到投資市場應(yīng)用及其解決方案上來;同時,從過去看重系統(tǒng)中的微處理器和存儲器技術(shù)的發(fā)展趨勢,轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)、混合信號技術(shù)等綜合技術(shù)創(chuàng)新;從過去的半導(dǎo)體公司與客戶、供應(yīng)商之間的一般買賣關(guān)系,轉(zhuǎn)向建立緊密的戰(zhàn)略聯(lián)盟,形成大生態(tài)系統(tǒng)的關(guān)系;尤其是,3D集成技術(shù)中的硅直通孔(Through-Silicon Via,TSV)封裝技術(shù),有可能引發(fā)世界半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方式的根本性改變。

“后摩爾定律”對全球IC創(chuàng)新應(yīng)用具有重要作用。今天,人們需要高速度、高性能和大容量,還需要節(jié)能、環(huán)保、舒適以及安全性和低成本。這些新變化、新需求在很大程度上將依賴于后摩爾定律相關(guān)技術(shù)的作用。因?yàn)樗鼈兩婕暗南到y(tǒng)集成產(chǎn)品,將出現(xiàn)許多異構(gòu)和異質(zhì)器件的多重技術(shù)結(jié)合;單純以SoC方式或難以實(shí)現(xiàn),或成本效益不足;而“后摩爾定律”揭示的采用如SiP等3D技術(shù)、混合信號半導(dǎo)體技術(shù)、MEMS技術(shù)和生物技術(shù)與CMOS邏輯技術(shù)相融合,不僅提供一個完整的低成本微系統(tǒng),而且將為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)指明一條繼續(xù)前進(jìn)的光明大道。

“后摩爾定律”與摩爾定律結(jié)合推動產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展
應(yīng)該看到,在當(dāng)今摩爾定律的演進(jìn)中,基于摩爾定律與“后摩爾定律”的結(jié)合,它們的創(chuàng)新將使世界半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用日益呈現(xiàn)出多元化和綜合化,將極大地推動著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方面。在一個高度集成的智能化微系統(tǒng)中,處理器、存儲器和邏輯電路是屬摩爾定律的范疇,而集成的無線電、電源管理、傳感器等模塊是屬“后摩爾定律”的范疇。

其中,在摩爾定律的范疇,ITRS指出,2010年的技術(shù)節(jié)點(diǎn)是45納米,2013年為32納米,到2015年將進(jìn)一步縮小為25納米,2016年為22納米;估計(jì)到2018年將會接近硅CMOS技術(shù)的極限。其內(nèi)容包括設(shè)計(jì)方法、系統(tǒng)級設(shè)計(jì)、邏輯電路和物理設(shè)計(jì)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、可測試設(shè)計(jì)、可制造設(shè)計(jì)等6個領(lǐng)域。另外,在新的工藝和新材料方面將來也會取得突破性進(jìn)展,如溝道替換、絕緣體上硅等新技術(shù),包括除高K金屬柵材料外的其他新材料等。至于未來元器件類型的新結(jié)構(gòu),ITRS雖增加了新型元器件的章節(jié),但僅停留在探索層面上,還沒有制定路線圖。

在“后摩爾定律”范疇,ITRS指出,在當(dāng)今的智能化微系統(tǒng)芯片開發(fā)中,尤其是,無線電領(lǐng)域新興應(yīng)用不斷出現(xiàn),有越來越多采用包括非CMOS的新器件集成的多重技術(shù)將會進(jìn)入3D集成時代。

3D集成實(shí)際上是一種系統(tǒng)級集成結(jié)構(gòu),其中的TSV技術(shù),是芯片制造與封裝技術(shù)相融合的集成技術(shù)。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole Developpement統(tǒng)計(jì),到2013年,59%的3D系統(tǒng)級集成結(jié)構(gòu),將采用多層平面器件的堆疊形式,并經(jīng)由穿透硅通孔(TSV)的半導(dǎo)體工藝連接起來;到2015年,3D-TSV晶圓的出貨量將達(dá)數(shù)百萬片,并可能對25%的存儲器業(yè)務(wù)產(chǎn)生影響。2015年,除了存儲器,3D-TSV晶圓在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的份額也將超過6%。同時,還將促進(jìn)相關(guān)設(shè)備和材料的推陳出新,它們的市場規(guī)模也將分別在2013年和2015年達(dá)到10億美元。

3D集成技術(shù)首先將在圖像傳感器、MEMS器件、生物醫(yī)學(xué)器件及其與邏輯(ASIC)包括3D-SoC/SiP的整合等應(yīng)用突破,然后將進(jìn)入諸如信息家電、便攜式手持設(shè)備、無線移動終端、汽車、醫(yī)療、工業(yè)自動化、環(huán)保和安防系統(tǒng)等半導(dǎo)體各個領(lǐng)域,并不斷增長而得到越來越廣泛的應(yīng)用。

在技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用方面。ITRS認(rèn)為,半導(dǎo)體集成電路市場的發(fā)展在很大程度上是個人計(jì)算機(jī)、數(shù)字電視和手機(jī)受終端及系統(tǒng)應(yīng)用驅(qū)動。目前,在全球“新能源”和“物聯(lián)網(wǎng)”的興起及其發(fā)展的大趨勢下,世界半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)著三大發(fā)展趨勢:一是綠色化,二是無線網(wǎng)絡(luò)化,三是健康安全化。這更為世界IC產(chǎn)品帶來了層出不窮的創(chuàng)新空間,如以云計(jì)算為標(biāo)志的高性能的安全計(jì)算機(jī)和服務(wù)器領(lǐng)域,以3G及今后的4G無線寬帶網(wǎng)絡(luò)通信基礎(chǔ)設(shè)施及相應(yīng)終端為代表的新一代無線通信領(lǐng)域,以風(fēng)能、核能和太陽能為標(biāo)志的新能源領(lǐng)域,以信息傳感和控制設(shè)備為標(biāo)志的工業(yè)化與信息化融合領(lǐng)域,以電力電子為代表的智能電網(wǎng)及其控制領(lǐng)域,還包括以新能源汽車和醫(yī)療電子為代表的領(lǐng)域等。

這種越來越多終端及系統(tǒng)領(lǐng)域的“應(yīng)用”驅(qū)動趨勢,大大促使了摩爾定律與“后摩爾定律”的結(jié)合,其中“后摩爾定律”將起著不可替代的作用。應(yīng)該看到,上述領(lǐng)域,離不開無線電的模擬/射頻技術(shù)、混合信號半導(dǎo)體技術(shù)、高壓功率電源技術(shù),以及MEMS傳感器、生物芯片技術(shù)和3D集成技術(shù);當(dāng)然也離不開它們與CMOS邏輯技術(shù)相融合的發(fā)展。

“后摩爾定律”提出和實(shí)施是ITRS對技術(shù)進(jìn)步的貢獻(xiàn)
ITRS對全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的預(yù)測作用,是被業(yè)界廣泛認(rèn)同的。其提出的“后摩爾定律”的宗旨,是致力于找到產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展所面臨的瓶頸,找到解決方法。其本質(zhì)是持續(xù)創(chuàng)新與不斷變革。其主要貢獻(xiàn):

一是,它不僅營造了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的增長點(diǎn),而且在信息技術(shù)與通信技術(shù)相融合的領(lǐng)域,具有培育起新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)的巨大現(xiàn)實(shí)和潛在驅(qū)動力。

二是,它為如中國為代表的發(fā)展中國家,在新興市場中應(yīng)對挑戰(zhàn)、持續(xù)推進(jìn)本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、建立自主可控的創(chuàng)新體系指明了一條產(chǎn)品多功能化、以成本為推動力的高效路徑。總之,“后摩爾定律”告知世界,全球半導(dǎo)體行業(yè)是一個充滿了活力和創(chuàng)造力的行業(yè),摩爾定律揭示的創(chuàng)新精神,將不斷地推動行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新。
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