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- 使用先進的PowerTrench®工藝技術，具有更低的RDS
- 提供大于2200V的HBM ESD保護等級
- 采用先進的芯片級尺寸封裝工藝
- 充電、負載切換、DC-DC及升壓應用
Fairchild因應手機、便攜醫(yī)療設備和媒體播放器等便攜應用設備的設計和元件工程師對在其設計中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進的PowerTrench®工藝技術，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，并可延長電池壽命。
飛兆半導體的FDZ192NZ和FDZ372NZ是業(yè)界最小、最薄的晶圓級芯片尺寸(wafer-level chip-scale, WL-CSP) 封裝N溝道器件。這些器件通過使用先進的芯片級尺寸封裝工藝，能夠顯著節(jié)省線路板空間，為便攜應用帶來至關重要的優(yōu)勢。
這些先進的WL-CSP MOSFET標志著封裝技術的重大突破，使到器件能夠綜合出色的熱轉(zhuǎn)移特性、超薄封裝、低柵極電荷和低RDS(ON)特性，并確保在低至1.5V的VGS 下能達到RDS(ON)額定值。另外，這些器件還提供大于2200V的HBM ESD保護等級。
FDZ192NZ采用厚度僅為0.65mm 的1.5mm x 1.0mm封裝；FDZ372NZ采用1.0mm x 1.0mm封裝，具有業(yè)界領先的0.4mm厚度。相比尺寸為1.6mm x 1.6mm的業(yè)界最接近的同類器件，F(xiàn)DZ192NZ的體積減小了41%；而FDZ372NZ則減小了61%，高度降低了40%。
FDZ192NZ和FDZ372NZ是飛兆半導體豐富的先進MOSFET產(chǎn)品系列中的一部分，這些器件能夠滿足市場對用于充電、負載切換、DC-DC及升壓應用的緊湊的、薄型、高性能MOSFET器件的需求。
