產(chǎn)品特性：
- 獨(dú)特雙密封技術(shù)
- 3300µF～72000µF 的電容范圍
- 0.035? 的低 ESR
日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”。
該今日電子編輯根據(jù)創(chuàng)新設(shè)計(jì)、技術(shù)或應(yīng)用方面的巨大進(jìn)步，以及性價(jià)比方面的巨大成就評(píng)估了 2007 年推出的數(shù)百種產(chǎn)品。Vishay HE3電容器之所以入選是因?yàn)槠湓陔娙萜鳈谀恐兴故境龅某晒Α?/p>
2007 年是該雜志設(shè)立“年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”的第一年，該獎(jiǎng)項(xiàng)將在未來繼續(xù)用于表彰該行業(yè)中的最佳產(chǎn)品。
通過利用 Vishay 業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的 SuperTan 混合陰極技術(shù)以及業(yè)界領(lǐng)先的正極設(shè)計(jì)，Vishay HE3代表了濕鉭電容器技術(shù)的重大突破。其設(shè)計(jì)采用可提高可靠性及性能的獨(dú)特雙密封技術(shù)，并且具有 3300µF～72000µF 的電容范圍，在所有濕鉭電容器中，這是每單位體積的最高電容，在 25°C、1 kHz 時(shí)，該器件還具有 0.035? 的低 ESR。
