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高頻電路的電磁兼容設計誤區分析
電磁兼容的問題常發生于高頻狀態下，個別問題（電壓跌落與瞬時中斷等）除外。高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規中低頻狀態下是不一樣的，如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析，則會走入設計的誤區。
2011-11-11
電磁兼容 EMC 高頻特性 高頻
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研究高性能新型器件，助力新興市場應用
——順絡電子參加第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會電路保護專業技術與解決方案供應商深圳順絡電子股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯合舉辦的第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會。
2011-11-11
電路保護 電磁兼容 EMC EMI 順絡電子
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錢振宇教授技術講座：深度解讀EMI/EMC新國標
——錢振宇教授參加第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會國內知名EMC專家錢振宇教授于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯合舉辦的第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會。
2011-11-11
電路保護 電磁兼容 EMC EMI
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提升LED照明電路保護高可靠性設計
——AEM科技參加第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會電路保護專業技術與解決方案供應商AEM科技股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯合舉辦的第十屆電路保護與電磁兼容技術研討會。
2011-11-11
電路保護 電磁兼容 EMC EMI AEM科技
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Vishay發布采用SurfLight表面發射器技術的850nm紅外發射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發射器技術制造的850nm紅外(IR)發射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴大其光電子產品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅動電流、發光強度和光功...
2011-11-11
VSMY7852X01 VSMY7850X01 Vishay SurfLight 紅外發射器
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LED驅動設計5大關鍵點
這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電...
2011-11-11
LED驅動 開關損耗 功率管 導通
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LDO的功耗和壓差分析
便攜產品電源設計需要系統級思維，在開發由電池供電的設備時，諸如手機、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產品，如果電源系統設計不合理，則會影響到整個系統的架構、產品的特性組合、元件的選擇、軟件的設計和功率分配架構等。
2011-11-11
LDO MOS管 恒流源 調整元件
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提高RF_PA效率的技術比較
在向著4G手機發展的過程中，便攜式系統設計工程師將面臨的最大挑戰是支持現有的多種移動通信標準，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和HSDPA，與此同時，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數據率以及支持OFDMA調制、支持MIMO天線技術，乃至支持VoWLAN的組網，因此，在射頻信號鏈設計的過程中，如何降低射頻...
2011-11-11
射頻功率放大器 效率 SiGe工藝 CMOS工藝
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測量小阻值電阻的輔助電路
實際工作中，為分析電路原理，在根據實物繪制電原理圖時，往往需要測出小阻值電阻的實際阻值，比如高檔開關電源中用于檢測負載電流的康銅電阻(一般為毫歐級)，過流保護用的大功率小阻值電阻(有些達到0.1Ω以下)，大功率功放電路中與電流放大管(E極或s極)串接的反饋電阻(一般為零點幾歐姆)。由于普通...
2011-11-11
阻值 電阻 輔助電路 放大電路
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