- PCB的電磁兼容設計
- 使用低功耗的芯片
- 使用低速芯片降低電路的頻率
- 利用緩沖器減小差模電流
線路板的輻射主要產生于PCB走線和“I／O”電纜。前面介紹了共模和差模電流，從這兩種電流的模式出發，可把輻射分為差模輻射和共模輻射兩種。
•差模輻射：電路工作電流在信號環路中流動會產生電磁輻射。而流動的電流是差模,因此產生的輻射稱為差模輻射；
•共模輻射：當傳輸信號的導體的電位與鄰近導體的電位不同時，相互之間就會產生電流。即使沒有任何導體連接，高頻電流也會通過寄生電容流動。這種電流稱為共模電流，其產生的輻射稱為共模輻射。
電纜的輻射主要以共模輻射為主。用電流環路模型來分析差模輻射，可分別得出近場區域和遠場區域的輻射電磁場。
式中，I為環路電流；A為環路面積；D為觀測點到環路的距離；Zo為自由空間的阻抗；λ為電流頻率所對應的波長。同理分析共模輻射，分別得出近場區域和遠場區域的輻射電磁場。
式中，I為環路電流；L為導線長度；D為觀測點到環路的距離；Zo為自由空間的阻抗；λ為電流頻率所對應的波長。
公式中的電流為共模電流。與前面差模電流不同的是，共模電流的實際值很難預先估算出來。
以上介紹的輻射并不完全符合實際應用電路的情況，因為公式的推導都假設在單根導線模型中，電路阻抗在近場為無限大，并且在電流環路模型中，電路是短路的。在實際電路中，電路不是理想的環路，也不是完全開路的導線。因此，利用理想模型進行輻射估計，會在近場出現較大的誤差。為了修正實際與理想模型所帶來的誤差，下面分別給出近場和遠場的修正導線計算模型：
式中，V為源的電壓；A為環路面積；f為電流的頻率；D為觀測點到電路的距離。
同時，遠場的輻射與電路的阻抗無關。各種數量關系如圖所示。
圖實際輻射電路簡化圖
另外，在電磁兼容標準中，通常使用電場強度來表征輻射的強度。實際中只要對電場強度作出規范的限制，即可使電路達到電磁兼容的標準。這里，最常用的公式是差模輻射預測公式，用于預測電路的差模輻射是否會導致輻射超過電磁兼容標準。
E=2.6IAf2/D(μV/m)(2－16)
由上面的公式可知，直接得出減小差模輻射就是控制差模電流I、頻率f或環路面積A。使用低功耗的芯片，利用緩沖器都可以減小差模電流I；使用低速芯片，降低電路的頻率可以減小f.但這兩種方法在實踐中都有一定的局限性。剩下的而且是最現實的手段就是控制信號的環路面積。這要求設計者在選用芯片時盡量選用大規模集成電路，采用表面安裝工藝制造的芯片，不使用安裝座等；另一方面，在線路板布線時，盡量控制信號回路的面積。
最常用共模輻射預測公式為
E=1.26ILf/D(2－17)
同理可知，只要控制以上公式的3個參量，即可達到減小共模輻射的標準。可以采用共模扼流圈，在共模電壓一定的情況下，增加共模電流流動路徑的阻抗；或在滿足使用要求的前提下，盡量縮短電纜。
