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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

發(fā)布時間:2025-02-21 來源:投稿 責任編輯:admin

【20252月20日, 德國慕尼黑訊】電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。

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CoolSiC MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC

這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2(G2)技術,其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源(SMPS)開發(fā),包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工具和人形機器人、電視機、驅(qū)動器以及固態(tài)斷路器。

TOLL封裝具有出色的板載熱循環(huán)(TCoB)能力,可通過減少印刷電路板(PCB)占板面積實現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設計。在用于SMPS時,它還能減少系統(tǒng)級制造成本。TOLL封裝現(xiàn)在適用于更多目標應用,使PCB設計者能夠進一步降低成本并更好地滿足市場需求。

Q-DPAK封裝的推出補充了英飛凌正在開發(fā)的新型頂部冷卻(TSC)產(chǎn)品,包括CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN和OptiMOS。TSC產(chǎn)品使客戶能夠以低成本實現(xiàn)出色的穩(wěn)健性以及更大的功率密度和系統(tǒng)效率,還能將直接散熱率提高至95%,通過實現(xiàn)PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應。

供貨情況

采用TOLL和Q-DPAK封裝的CoolSiC MOSFET 650 V G2現(xiàn)已上市,前者的RDS(on)值為10至60 mΩ,后者的RDS(on)值為 7、10、15 和 20 mΩ。更多信息,請訪問 www.infineon.com/coolsic-g2

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

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