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貿(mào)澤電子宣布與Edge Impulse展開全球合作，助力機器學習應用的開發(fā)
2024年4月18日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很榮幸地宣布與Edge Impulse建立新的全球合作關(guān)系。Edge Impulse是一個前沿開發(fā)平臺，支持邊緣設(shè)備上的機器學習 (ML)，為從低功耗MCU到高效率Linux CPU及GPU等各種產(chǎn)品和設(shè)備提供高級...
2024-04-22
貿(mào)澤電子 Edge Impulse 機器學習
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意法半導體公布2024年可持續(xù)發(fā)展報告
服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)今天公布了可持續(xù)發(fā)展年報， 展示了為全體利益相關(guān)者創(chuàng)造長期價值和推動公司業(yè)務(wù)可持續(xù)發(fā)展，2023年ST在環(huán)境保護、社會責任和企業(yè)治理方面取得的成績。
2024-04-22
意法半導體 可持續(xù)發(fā)展
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結(jié)構(gòu)”FET器件（如圖2所示）使這項技術(shù)更進一步。這些器件基于獨特...
2024-04-15
Qorvo SiC FET SiC MOSFET
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意法半導體NFC標簽芯片擴大品牌保護范圍，新增先進的片上數(shù)字簽名功能
服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，松下自行車科技有限公司(Panasonic)宣布采用 STM32F3 微控制器 (MCU) 和邊緣人工智能開發(fā)工具 STM32Cube.AI開發(fā)TiMO A電動自行車。意法半導體的邊緣人工智能解決方案為松下提...
2024-04-15
意法半導體 NFC標簽芯片
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以展促產(chǎn) 向新而行！第十二屆中國電子信息博覽會圓滿落幕
2024年4月11日，第十二屆中國電子信息博覽會（CITE2024）在深圳會展中心（福田）成功落下帷幕。為期三天的展會以“追求卓越 數(shù)創(chuàng)未來”為主題，聚集了來自全球15個國家和地區(qū)的超過1000家參展企業(yè)，在8萬平方米的展覽區(qū)域內(nèi)展示中國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果，共吸引了63485人次的專業(yè)觀眾到場參觀...
2024-04-12
電子信息博覽會 人工智能 智慧家庭 新型顯示 高端半導體
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CITE2024創(chuàng)新金獎&創(chuàng)新獎獲獎名單公布！
4月9日，第十二屆中國電子信息博覽會（簡稱電博會，CITE 2024）在深圳會展中心開幕。本屆電博會以“追求卓越，數(shù)創(chuàng)未來”為主題，攜手第103屆中國電子展，從芯片、硬件設(shè)備到軟件服務(wù)，從電子制造到云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等新興領(lǐng)域，展示中國電子信息產(chǎn)業(yè)的強大實力和創(chuàng)新能力，搭建高質(zhì)量平臺與...
2024-04-10
創(chuàng)新金獎 獲獎名單
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第十二屆中國電子信息博覽會深圳開幕 專精特新引領(lǐng)新浪潮
4月9日，第十二屆中國電子信息博覽會（簡稱電博會，CITE 2024）在深圳會展中心開幕。本屆電博會以“追求卓越，數(shù)創(chuàng)未來”為主題，攜手第103屆中國電子展，從芯片、硬件設(shè)備到軟件服務(wù)，從電子制造到云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能等新興領(lǐng)域，展示中國電子信息產(chǎn)業(yè)的強大實力和創(chuàng)新能力，搭建高質(zhì)量平臺與...
2024-04-09
中國電子信息博覽會 工業(yè)控制 工業(yè)表計 醫(yī)療健康
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通過工藝建模進行后段制程金屬方案分析
隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。相比金屬線寬度，阻擋層尺寸較難縮減（如圖1）。氮化鉭等常見的阻擋層材料電阻率較高，且側(cè)壁電子散射較多。因此，相關(guān)阻擋層尺寸的增加會導致更為顯著的電阻電容...
2024-04-08
工藝建模 后段制程金屬
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演進中的電力電子設(shè)計：安森美先進仿真工具
電力電子設(shè)計是現(xiàn)代工程中的關(guān)鍵因素，它對眾多應用的效率、可靠性和性能產(chǎn)生深遠影響。在考慮制造工藝差異和最壞情景的同時，開發(fā)出符合嚴格要求的電路，需要精確且精密的工具支持。
2024-04-08
安森美 電力電子設(shè)計 仿真工具
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