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SMM4F：意法半導體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列
意法半導體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產品在三個主要方面提高性能：在小空間內提供先進的保護功能、降低泄漏電流實現低損耗、結溫最大化以提升可靠性。
2008-05-15
SMM4F 二極管 diode 消費電子
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VFCD1505：Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器
Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時，該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR、在額定功率時 ±5ppm的出色PCR跟蹤（自身散熱產生的 ?R）及±0.005%的負載壽命穩定度。
2008-05-14
VFCD1505 分壓器
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復用器與開關
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復用器與開關
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重復性和穩定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長的對AlInGaP技術的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發光強度和低功耗的特點。
2008-05-09
VLRE31 VLRK31 LED
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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設計，可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散熱產生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設計，可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散熱產生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
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