【導讀】近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。
逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。
在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如，多個標準法規已經或即將強制規定焊機的電源效率達到特定水平。其中一個例子是，2023年1月1日生效的針對焊接設備的歐盟（EU）最新法規[2]。因此，對于使用功率模塊作為典型解決方案的10kW至40kW中等功率焊機，順應這些趨勢現在已變得非常困難。
英飛凌CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，大大提升了器件的熱性能和可靠性。結合特定的冷卻設計（“為了增加散熱，將器件單管直接貼裝在散熱片上，而未進行任何電氣隔離”[3]），它提供了更出色的器件單管解決方案（圖1）。它可實現更高輸出功率，提高效率和功率密度，并降低中功率焊機的成本。
圖1：采用未與散熱片隔離的1200V CoolSiC? MOSFET單管的焊機電源
采用.XT擴散焊技術的CoolSiC? MOSFET單管
增強型CoolSiC? MOSFET 1200V充分利用了基于英飛凌.XT擴散焊技術的改良型TO-247封裝。這項技術采用先進的擴散焊工藝。如[4]中所作詳細討論，這種封裝技術的主要優點是大幅減小焊接層的厚度（圖2），其中，特定的金屬合金結合可顯著提高導熱率。這一特性降低了器件的結-殼熱阻（Rthj-case）和熱阻抗（Zthj-case）。
這種焊接工藝可避免芯片偏斜和焊料溢出，并實現幾乎無空隙的焊接界面，從而提高器件的可靠性。此外，它提高了器件在熱-機械應力下的性能，這意味著器件在主動和被動熱循環測試條件下具有更出色的性能。總的來說，采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V，可使焊機電源設計實現更好的熱性能和可靠性。
圖2：英飛凌.XT擴散焊技術較之于常規軟焊工藝
采用CoolSiC? MOSFET器件單管的500A逆變焊機功率變換器設計
一家大型制造商的焊機，其獨特的500A功率變換器設計展示基于.XT擴散焊技術TO-247封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V，用于中等功率焊機的改良型解決方案。它使用了前文探討的冷卻概念，如圖1所示，器件貼裝在散熱片上而不進行電氣隔離。此外，為了證實其具備更好的性能，在相同的測試條件下，將其與主要競爭對手的SiC MOSFET進行了對比。
焊機電源由一個三相輸入，全橋拓撲逆變器構成，使用了英飛凌提供的4顆TO-247 4引腳封裝的基于.XT互連技術（IMZA120R020M1H）的20m? 1200V CoolSiC? MOSFET。表1列出了逆變焊接的基本技術規格：
表1：焊機電源逆變器基本技術規格
請注意，相比于在10kHz至20kHz開關頻率下工作的中等功率焊機所用的典型IGBT模塊解決方案，SiC MOSFET的超高開關速度能夠顯著提高典型工作開關頻率。這有助于縮小磁性元件和無源器件的尺寸，從而縮小逆變器尺寸。
此外，為了滿足表1所列要求，選擇了適當的散熱片和空氣流，以提供適當的熱時間常數。所有散熱片均在大約5分鐘后達到熱穩態條件，冷卻系統設計亦隨之達到熱穩態條件（圖3）。這樣一來，在最大運行要求的60%焊接占空比內，SiC MOSFET器件即已達到熱穩態條件。
圖3：散熱器的熱穩態條件和散熱能力
電源逆變器測試條件如下：
● 輸出功率：408A、47.7V、~19.5kW。目標輸出功率：20kW、500A、40V
● 暫載率：60%，6分鐘開、4分鐘關
● 逆變器DC母線電壓：530 VDC
● 開關頻率：50kHz
● VGS（20m? CoolSiC? MOSFET）：18/-3V
● VGS（競品20m? SiC MOSFET）：20/-4V
● 上橋臂散熱片Rth：~0.36K/W
● 下橋臂散熱片Rth：~0.22K/W
● 導熱膏導熱率：6.0W/mK
● 貼裝夾持力：60N（13.5磅）
● 環境溫度：室溫
● 強制空氣冷卻
● RCL負載
正如預期的那樣，由于適當的柵極驅動器、RC緩沖器和PCB布局設計，英飛凌CoolSiC? MOSFET與競品SiC MOSFET之間沒有顯著差異，二者都表現出相似的波形性能（圖4）。
圖4：焊機電源逆變器工作期間的典型SiC MOSFET波形
然而，散熱和功率損耗測試結果則表明，CoolSiC? MOSFET的性能更加出色。溫度曲線圖（圖5）顯示，20m? IMZA120R020M1H CoolSiC? MOSFET的性能明顯優于競品器件。平均而言，相比于競品器件，CoolSiC? MOSFET的散熱片溫度降低了約6%，估算的功率損耗降低了17%，殼溫降低了14%。
此外，CoolSiC? MOSFET在運行5鐘后即達到熱穩態條件，符合基于冷卻設計數據的預計。另一方面，競品SiC MOSFET一直未達到熱穩態條件，這意味著其功率損耗在系統運行6分鐘后仍在增加。
圖5：20m? 1200V SiC MOSFET在60%暫載率工作狀態下的散熱和功率損耗——英飛凌CoolSiC? MOSFET IMZA120R020M1H較之于主要競爭對手的器件
最后，哪怕考慮到最高40°C環境溫度，這種SiC MOSFET單管解決方案亦可輕松滿足最高80°C散熱片溫度要求。
總而言之，測試結果證實并證明，CoolSiC? MOSFET單管解決方案通過采用直接將器件貼裝在散熱片上而不進行電氣隔離的冷卻概念，可助力實現通常選用功率模塊解決方案的20kW及以上中功率焊機的逆變器設計。
結語
測試證實，采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V，結合知名非常規冷卻設計，實現更出色的焊機電源。這種設計大大提高了散熱性能，實現比功率模塊解決方案更高輸出功率水平。英飛凌.XT互連技術的優點，有助于提高散熱性能，從而提高逆變器的可靠性和使用壽命。文中提出的單管解決方案能夠實現更高效率和功率密度，幫助滿足對更高能效焊機的需求，同時順應焊機行業發展趨勢，如降低成本、重量和尺寸。
參考資料
[1] 本文是作者（Jorge Cerezo）在紐倫堡PCIM Europe 2022發表的論文《使用基于.XT互連技術的1200 V CoolSiC? MOSFET單管提高焊機功率效率》的更新版本。https://pcim.mesago.com/nuernberg/en.html
[2] 按照歐洲議會和理事會指令2009/125/EC的要求，歐盟委員會（EU）2019/1784于2019年10月1日規定了針對焊接設備的生態設計要求。
[3] 《TO-247PLUS IGBT單管助力提高焊接設備功率密度》，AN2019-10，英飛凌科技股份公司。
[4] M. Holz、J. Hilsenbeck、R. Otremba、A. Heinrich、P. Türkes、R. Rupp等合著《SiC功率器件：使用擴散焊技術改進產品》，Materials Science Forum，第615-617卷（2009年）第613-616頁。
來源：英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cerezo
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